シリコンの固相エピタキシャル成長に関する研究 shirikon no koso epitakisharu seicho ni kansuru kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
-
シリコンの固相エピタキシャル成長に関する研究
- タイトル別名
-
shirikon no koso epitakisharu seicho ni kansuru kenkyu
- 著者名
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上野, 智雄
- 著者別名
-
ウエノ, トモオ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第865号
- 学位授与年月日
-
1991-03-15
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲865号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1991-03-15 ; 早大学位記番号:新1679 ; 理工学図書館請求番号:1432
目次
- [目次] / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 エピタキシャル成長の必要性 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 固相エピタキシャル成長の利点と問題点 / p1 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の概要と意義 / p3 (0009.jp2)
- 第1章の参考文献 / p4 (0010.jp2)
- 第2章 研究の方法 / p5 (0011.jp2)
- 2.1 固相エピタキシャル成長膜作成の方法 / p5 (0011.jp2)
- 2.2 透過型電子顕微鏡観察法 / p12 (0018.jp2)
- 2.3 走査型電子顕微鏡観察法 / p23 (0029.jp2)
- 2.4 ラマン分光法 / p26 (0032.jp2)
- 2.5 結晶模型を用いた歪評価 / p31 (0037.jp2)
- 第2章の参考文献 / p36 (0042.jp2)
- 第3章 横方向固相エピタキシャル成長距離を制限する要因 / p38 (0044.jp2)
- 3.1 本章の目的 / p38 (0044.jp2)
- 3.2 {111}ファセット形成の機構 / p38 (0044.jp2)
- 3.3 {111}ファセット形成の非晶質シリコン膜厚依存性 / p55 (0061.jp2)
- 3.4 成長距離を制限する要因に関する考察 / p73 (0079.jp2)
- 3.5 本章の結論 / p90 (0096.jp2)
- 第3章の参考文献 / p91 (0097.jp2)
- 第4章 三相(結晶シリコン,非晶質シリコン,SiO₂)境界での双晶の形成 / p92 (0098.jp2)
- 4.1 本章の目的 / p92 (0098.jp2)
- 4.2 微小双晶周辺での原子配列 / p94 (0100.jp2)
- 4.3 微小双晶の界面局在化の機構 / p103 (0109.jp2)
- 4.4 微小双晶周辺部での歪場の発生 / p107 (0113.jp2)
- 4.5 本章の結論 / p116 (0122.jp2)
- 第4章の参考文献 / p117 (0123.jp2)
- 第5章 縦方向固相エピタキシャル成長における酸素の影響 / p118 (0124.jp2)
- 5.1 本章の目的 / p118 (0124.jp2)
- 5.2 界面残留酸化物による転位の形成 / p118 (0124.jp2)
- 5.3 Si(111)-7x7基板上での縦方向固相エピタキシャル成長 / p136 (0142.jp2)
- 5.4 本章の結論 / p145 (0151.jp2)
- 第5章の参考文献 / p146 (0152.jp2)
- 第6章 結論 / p147 (0153.jp2)
- 謝辞 / p150 (0156.jp2)
- 研究業績 / p151 (0157.jp2)
