金属半導体接合及び超LSI用金属配線に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
金属半導体接合及び超LSI用金属配線に関する研究
- Author
-
桑原, 英司
- Author(Another name)
-
クワバラ, ヒデジ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第4410号
- Degree year
-
1991-03-28
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 LSIの発達 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 LSIにおけるコンタクト及び金属配線の重要性 / p1 (0006.jp2)
- 1-3 本研究の目的 / p2 (0007.jp2)
- 参考文献 / p3 (0008.jp2)
- 第2章 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p5 (0010.jp2)
- 2-1 はじめに / p5 (0010.jp2)
- 2-2 低エネルギーイオン照射プロセス / p5 (0010.jp2)
- 2-3 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p6 (0011.jp2)
- 2-4 まとめ / p16 (0021.jp2)
- 参考文献 / p17 (0022.jp2)
- 第3章 低エネルギーイオン照射による薄膜の物性制御 / p18 (0023.jp2)
- 3-1 はじめに / p18 (0023.jp2)
- 3-2 実験方法 / p18 (0023.jp2)
- 3-3 結果及び考察 / p19 (0024.jp2)
- 3-4 まとめ / p29 (0034.jp2)
- 参考文献 / p30 (0035.jp2)
- 第4章 純アルミニウム超LSI金属配線 / p31 (0036.jp2)
- 4-1 はじめに / p31 (0036.jp2)
- 4-2 実験方法 / p31 (0036.jp2)
- 4-3 結果及び考察 / p32 (0037.jp2)
- 4-4 まとめ / p46 (0051.jp2)
- 参考文献 / p47 (0052.jp2)
- 第5章 超LSIコンタクトとしての金属/シリコン界面 / p49 (0054.jp2)
- 5-1 はじめに / p49 (0054.jp2)
- 5-2 自然酸化膜フリープロセス / p49 (0054.jp2)
- 5-3 実験方法 / p52 (0057.jp2)
- 5-4 結果及び考察 / p54 (0059.jp2)
- 5-5 まとめ / p69 (0074.jp2)
- 参考文献 / p70 (0075.jp2)
- 謝辞 / p72 (0077.jp2)
- 本研究に関する発表 / p73 (0078.jp2)