Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究 Au-Si オヨビ CdTe オ モチイタ ハンドウタイ ケンシュツキ ト ソノ ブッセイ ニ カンスル ケンキュウ
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Bibliographic Information
- Title
-
Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究
- Other Title
-
Au-Si オヨビ CdTe オ モチイタ ハンドウタイ ケンシュツキ ト ソノ ブッセイ ニ カンスル ケンキュウ
- Author
-
大羽, 克彦
- Author(Another name)
-
オオバ, カツヒコ
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第5455号
- Degree year
-
1991-06-24
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 参考文献 / p5 (0008.jp2)
- 第2章 Au-Si表面障壁型放射線検出器 / p7 (0009.jp2)
- 2.1 検出器の動作原理 / p7 (0009.jp2)
- 2.2 検出器の製作 / p9 (0010.jp2)
- 2.3 放射線スペクトルの測定 / p11 (0011.jp2)
- 2.4 検出器の空乏層の厚さ測定 / p14 (0013.jp2)
- 参考文献 / p20 (0016.jp2)
- 第3章 Au-Si表面障壁型放射線検出器の放射線損傷と熱処理効果 / p21 (0016.jp2)
- 3.1 荷電粒子(³He､陽子)とγ線(⁶ºCo)による照射損傷と熱処理 / p21 (0016.jp2)
- 3.2 荷電粒子線照射 / p23 (0017.jp2)
- 3.3 γ線照射 / p46 (0029.jp2)
- 3.4 まとめ / p61 (0036.jp2)
- 参考文献 / p62 (0037.jp2)
- 第4章 CdTe結晶成長および検出器への応用 / p63 (0037.jp2)
- 4.1 CdTeバルク結晶成長 / p64 (0038.jp2)
- 4.2 有機金属気相(MOCVD)法によるエピタキシャル成長 / p68 (0040.jp2)
- 4.3 CdTe放射線検出器 / p72 (0042.jp2)
- 4.4 まとめ / p76 (0044.jp2)
- 参考文献 / p77 (0044.jp2)
- 第5章 CdTeのHg熱処理効果 / p79 (0045.jp2)
- 5.1 Hg熱処理 / p80 (0046.jp2)
- 5.2 Hg熱処理CdTeのフォトルミネッセンスによる評価 / p81 (0046.jp2)
- 5.3 まとめ / p99 (0055.jp2)
- 参考文献 / p99 (0055.jp2)
- 第6章 総括 / p101 (0056.jp2)
- 謝辞 / p106 (0059.jp2)
- 研究業績 / p107 (0059.jp2)