Ⅲ-Ⅴ族半導体のDX準位に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
Ⅲ-Ⅴ族半導体のDX準位に関する研究
- Author
-
藤澤, 利正
- Author(Another name)
-
フジサワ, トシマサ
- University
-
東京工業大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第2317号
- Degree year
-
1991-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
- 1-2 DXセンターの性質 / p4 (0008.jp2)
- 1-3 DXセンターを説明するモデル / p6 (0010.jp2)
- 1-4 本研究の目的と手法および影響 / p11 (0015.jp2)
- 1-5 本論文の構成 / p14 (0018.jp2)
- 第2章 DX準位とバンド構造 / p15 (0019.jp2)
- 2-1 AlGaAs中のDXセンター / p16 (0020.jp2)
- 2-2 AlGaSb中のDXセンター / p20 (0024.jp2)
- 2-3 GaInP中のDXセンター / p24 (0028.jp2)
- 2-4 DX準位とバンド構造との関連 / p27 (0031.jp2)
- 2-5 まとめ / p28 (0032.jp2)
- 第3章 DX準位の格子緩和 / p29 (0033.jp2)
- 3-1 伝導帯中にあるDXセンター準安定状態の観測 / p30 (0034.jp2)
- 3-2 DXセンターのドナー原子依存性 / p34 (0038.jp2)
- 3-3 DXセンターの局所環境効果 / p40 (0044.jp2)
- 3-4 効率よいドーピング方法 / p48 (0052.jp2)
- 3-5 まとめ / p49 (0053.jp2)
- 第4章 DX準位の電子状態 / p50 (0054.jp2)
- 4-1 2電子束縛準位-ネガティブU準位- / p51 (0055.jp2)
- 4-2 ネガティブUモデルの検証-GeとSiの同時ドーピング- / p57 (0061.jp2)
- 4-3 DXセンターによる電子散乱機構-静水圧下GaAsのホール測定- / p65 (0069.jp2)
- 4-4 ネガティブUモデルの妥当性 / p72 (0076.jp2)
- 4-5 まとめ / p76 (0080.jp2)
- 第5章 結論 / p77 (0081.jp2)
- 5-1 本研究のまとめ / p78 (0082.jp2)
- 5-2 将来展望 / p81 (0085.jp2)
- 付録A 圧力発生装置 / p84 (0088.jp2)
- 付録B DLTS測定装置 / p90 (0094.jp2)
- 付録C 静水圧下の半導体物性 / p95 (0099.jp2)
- 謝辞 / p98 (0102.jp2)
- 本研究に関する発表 / p99 (0103.jp2)
- 参考文献 / p103 (0107.jp2)