砒化ガリウムによる金属/半導体接合電界効果トランジスタの高性能化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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砒化ガリウムによる金属/半導体接合電界効果トランジスタの高性能化に関する研究
- 著者名
-
上野, 和良
- 著者別名
-
ウエノ, カズヨシ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5542号
- 学位授与年月日
-
1991-04-10
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0002.jp2)
- 第1章 はじめに / p1 (0004.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1-2 砒化ガリウムによる金属/半導体接合トランジスタに関する従来の研究と本研究の特徴 / p3 (0005.jp2)
- 1-3 本研究の概要 / p6 (0007.jp2)
- 第2章 自己整合技術による相互コンダクタンスの向上 / p9 (0008.jp2)
- 2-1 実験 / p11 (0009.jp2)
- 2-2 実験結果と考察 / p16 (0012.jp2)
- 2-3 リング発振器の作製と動作特性 / p24 (0016.jp2)
- 2-4 まとめ / p33 (0020.jp2)
- 第3章 分子線エピタキシー法によるチャネルの不純物高密度薄層化と短チャネル効果の抑制 / p35 (0021.jp2)
- 3-1 実験 / p36 (0022.jp2)
- 3-2 実験結果と考察 / p41 (0024.jp2)
- 3-3 まとめ / p52 (0030.jp2)
- 第4章 2次元数値解析による比例縮小則の適用 / p54 (0031.jp2)
- 4-1 2次元数値解析のモデル / p54 (0031.jp2)
- 4-2 均一ドープチャネルGaAsMESFETの微細化とスケーリング / p59 (0033.jp2)
- 4-3 ステップドープチャネルGaAsMESFETの微細化とスケーリング / p68 (0038.jp2)
- 4-4 ヘテロバッファ層による基板リーグ電流の抑制 / p85 (0046.jp2)
- 4-5 ステップドープMESFETと均一ドープMESFETの性能比較 / p89 (0048.jp2)
- 4-6 まとめ / p94 (0051.jp2)
- 第5章 FET特性のゲートの結晶方向依存性の抑制による特性安定化 / p96 (0052.jp2)
- 5-1 解析 / p97 (0052.jp2)
- 5-2 実験 / p104 (0056.jp2)
- 5-3 まとめ / p109 (0058.jp2)
- 第6章 超高真空中での接合形成によるショットキー接合の安定化 / p111 (0059.jp2)
- 6-1 実験 / p112 (0060.jp2)
- 6-2 実験結果と考察 / p114 (0061.jp2)
- 6-3 まとめ / p135 (0071.jp2)
- 第7章 まとめ / p137 (0072.jp2)
- 謝辞 / p140 (0074.jp2)
- 論文リスト / p142 (0075.jp2)