InP/InGaAsP系光電子集積回路に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
InP/InGaAsP系光電子集積回路に関する研究
- Author
-
柴田, 淳
- Author(Another name)
-
シバタ, ジュン
- University
-
神戸大学
- Types of degree
-
学術博士
- Grant ID
-
乙第1447号
- Degree year
-
1990-09-28
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 技術の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 0EICの研究と課題 / p3 (0006.jp2)
- 1-3 本研究におけるOEICの進め方 / p8 (0009.jp2)
- 1-4 本論文の構成 / p9 (0009.jp2)
- 参考文献 / p12 (0011.jp2)
- 第2章 発光用OEICの集積化技術 / p20 (0015.jp2)
- 2-1 概要 / p20 (0015.jp2)
- 2-2 集積化の範囲と素子構造の決定 / p20 (0015.jp2)
- 2-3 0EIC用電子デバイス(パイポーラTrとJ-FETの特性比較) / p28 (0019.jp2)
- 2-4 0EIC用電子デバイス(バイポーラTrとJ-FETの構造比較) / p34 (0022.jp2)
- 2-5 Heterostructure Bipolar Transistor(HBT)の設計 / p41 (0025.jp2)
- 2-6 HBTのデバイス･パラメータの計算 / p53 (0031.jp2)
- 2-7 発光用OEICのプロセス設計 / p69 (0039.jp2)
- 2-8 結論 / p74 (0042.jp2)
- 参考文献 / p74 (0042.jp2)
- 第3章 作製プロセス技術と素子特性の評価 / p76 (0043.jp2)
- 3-1 概要 / p76 (0043.jp2)
- 3-2 発光用OEICのプロセス / p76 (0043.jp2)
- 3-3 結晶成長方法 / p82 (0046.jp2)
- 3-4 逆メサ･エッチングの方法 / p90 (0050.jp2)
- 3-5 lnP中へのZnの拡散 / p101 (0055.jp2)
- 3-6 素子特性の測定･評価 / p107 (0058.jp2)
- 3-7 結論 / p116 (0063.jp2)
- 参考文献 / p122 (0066.jp2)
- 第4章 受光用OEICの集積化技術 / p125 (0067.jp2)
- 4-1 概要 / p125 (0067.jp2)
- 4-2 受光用OEICの設計 / p126 (0068.jp2)
- 4-3 受光用OEICの作製プロセス / p156 (0083.jp2)
- 4-4 素子特性の測定･評価 / p163 (0086.jp2)
- 4-5 結論 / p175 (0092.jp2)
- 参考文献 / p176 (0093.jp2)
- 第5章 OEICモジュールの伝送特性評価 / p180 (0095.jp2)
- 5-1 概要 / p180 (0095.jp2)
- 5-2 0EICの実装組立 / p181 (0095.jp2)
- 5-3 0EICの信頼性評価 / p197 (0103.jp2)
- 5-4 0EICの伝送特性試験 / p212 (0111.jp2)
- 5-5 結論 / p223 (0116.jp2)
- 参考文献 / p227 (0118.jp2)
- 第6章 光機能集積素子の研究 / p230 (0120.jp2)
- 6-1 概要 / p230 (0120.jp2)
- 6-2 LD-PD一体化素子 / p231 (0120.jp2)
- 6-3 レーザ･トランジスタの研究 / p253 (0131.jp2)
- 6-4 結論 / p275 (0142.jp2)
- 参考文献 / p279 (0144.jp2)
- 第7章 結論 / p283 (0146.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p288 (0149.jp2)
- 本研究に関するその他の発表論文 / p291 (0150.jp2)
- 本研究の国際会議での報告 / p295 (0152.jp2)
- 謝辞 / p296 (0153.jp2)