PVD法による薄膜の結晶配向性モルフォロジー及びその特性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
PVD法による薄膜の結晶配向性モルフォロジー及びその特性に関する研究
- 著者名
-
王, 東冬
- 著者別名
-
ワン, トントン
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2493号
- 学位授与年月日
-
1991-05-07
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 第一節 緒言 / p1 (0007.jp2)
- 第二節 PVD法による薄膜のモルフォロジーと結晶配向性に関する過去の研究 / p2 (0008.jp2)
- 第三節 本研究の目的 / p8 (0014.jp2)
- 第四節 本論文の構成 / p9 (0015.jp2)
- 参考文献 / p11 (0017.jp2)
- 第二章 吸着理論による結晶配向性とモルフォロジーの評価 / p15 (0021.jp2)
- 第一節 緒言 / p15 (0021.jp2)
- 第二節 結晶の表面エネルギー / p15 (0021.jp2)
- 2.2.1 金属の表面エネルギーの近似計算 / p16 (0022.jp2)
- 2.2.2 NaC1型結晶の表面エネルギーの近似計算 / p18 (0024.jp2)
- 第三節 PVD法による成長膜の結晶配向性とモルフォロジー / p22 (0028.jp2)
- 第四節 結言 / p31 (0037.jp2)
- 参考文献 / p33 (0039.jp2)
- 第三章 PVD法による金属Cr,Ti,Si薄膜の結晶配向性とモルフォロジーに関する研究 / p35 (0041.jp2)
- 第一節 緒言 / p35 (0041.jp2)
- 第二節 実験方法 / p35 (0041.jp2)
- 3.2.1 実験装置及び薄膜作製 / p35 (0041.jp2)
- 3.2.2 蒸着用基板(供試材) / p40 (0046.jp2)
- 3.2.3 X線回折および結晶配向性の評価 / p40 (0046.jp2)
- 3.2.4 走査型電子顕微鏡(SEM)観察 / p42 (0048.jp2)
- 第三節 実験結果 / p42 (0048.jp2)
- 3.3.1 PVD法による金属薄膜の結晶配向性 / p42 (0048.jp2)
- 3.3.2 PVD法による金属薄膜のモルフォロジー / p50 (0056.jp2)
- 第四節 考察 / p53 (0059.jp2)
- 3.4.1 吸着モデルによる金属薄膜の結晶配向性とモルフォロジーの検討 / p53 (0059.jp2)
- 3.4.2 PVD法による金属薄膜のアモルファス的微細化 / p63 (0069.jp2)
- 第五節 結言 / p65 (0071.jp2)
- 参考文献 / p66 (0072.jp2)
- 第四章 反応性PVD法による窒化物Cr-N,TiN薄膜の結晶配向性とモルフォロジーに関する研究 / p68 (0074.jp2)
- 第一節 緒言 / p68 (0074.jp2)
- 第二節 実験方法 / p68 (0074.jp2)
- 4.2.1 実験装置及び薄膜の作製 / p68 (0074.jp2)
- 4.2.2 X線回折及び薄膜成分の測定 / p72 (0078.jp2)
- 4.2.3 走査型電子顕微鏡(SEM)観察 / p72 (0078.jp2)
- 4.2.4 薄膜の硬度測定試験 / p72 (0078.jp2)
- 4.2.5 薄膜の耐摩耗性試験 / p72 (0078.jp2)
- 4.2.6 薄膜の耐食性試験 / p74 (0080.jp2)
- 第三節 実験結果 / p74 (0080.jp2)
- 4.3.1 Cr-N,TiN薄膜の組成及び結晶配向性 / p74 (0080.jp2)
- 4.3.2 Cr-N,TiN薄膜のモルフォロジー / p88 (0094.jp2)
- 4.3.3 Cr-N,TiN薄膜の特性 / p99 (0105.jp2)
- 第四節 考察 / p122 (0128.jp2)
- 4.4.1 吸着モデルによる窒化物薄膜の結晶配向性とモルフォロジーの検討 / p122 (0128.jp2)
- 4.4.2 薄膜の結晶配向性やモルフォロジーによるCr-NおよびTiN薄膜の諸特性の評価 / p125 (0131.jp2)
- 第五節 結言 / p128 (0134.jp2)
- 参考文献 / p130 (0136.jp2)
- 第五章 総括 / p132 (0138.jp2)
- 謝辞 / p137 (0143.jp2)