半導体の短時間熱処理プロセスによる電気的特性と格子欠陥に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
半導体の短時間熱処理プロセスによる電気的特性と格子欠陥に関する研究
- Author
-
片山, 雅之
- Author(Another name)
-
カタヤマ, マサユキ
- University
-
名古屋工業大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第29号
- Degree year
-
1991-09-12
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p5 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の概要 / p5 (0006.jp2)
- 参考文献 / p7 (0007.jp2)
- 第2章 p⁺イオン注入SiのXeランプ短時間(400μs)熱処理 / p11 (0009.jp2)
- 2.1 序 / p11 (0009.jp2)
- 2.2 実験方法 / p12 (0010.jp2)
- 2.3 接合容量を用いた欠陥準位の評価方法 / p15 (0011.jp2)
- 2.4 実験結果及び検討 / p25 (0016.jp2)
- 2.5 結言 / p34 (0021.jp2)
- 参考文献 / p35 (0021.jp2)
- 第3章 B⁺イオン注入Siのハロゲンランプ短時間(7sec)熱処理 / p37 (0022.jp2)
- 3.1 序 / p37 (0022.jp2)
- 3.2 実験方法 / p38 (0023.jp2)
- 3.3 実験結果及び検討 / p40 (0024.jp2)
- 3.4 結言 / p50 (0029.jp2)
- 参考文献 / p52 (0030.jp2)
- 第4章 バルクGaAsの短時間熱処理による欠陥の消滅と異種欠陥の生成 / p54 (0031.jp2)
- 4.1 序 / p54 (0031.jp2)
- 4.2 GaAs中の欠陥準位の概説 / p55 (0031.jp2)
- 4.3 実験方法 / p59 (0033.jp2)
- 4.4 実験結果及び検討 / p62 (0035.jp2)
- 4.5 結言 / p72 (0040.jp2)
- 参考文献 / p73 (0040.jp2)
- 第5章 バルクGaAsの短時間熱処理によるGa外部拡散と欠陥の構造 / p76 (0042.jp2)
- 5.1 序 / p76 (0042.jp2)
- 5.2 実験方法 / p77 (0042.jp2)
- 5.3 実験結果及び検討 / p79 (0043.jp2)
- 5.4 結言 / p99 (0053.jp2)
- 参考文献 / p101 (0054.jp2)
- 第6章 総括 / p103 (0055.jp2)
- 謝辞 / p106 (0057.jp2)
- 本研究に関する発表 / p107 (0057.jp2)