分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究
- 著者名
-
園田, 琢二
- 著者別名
-
ソノダ, タクジ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第31号
- 学位授与年月日
-
1991-12-05
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 関連分野の研究概要と本研究の動機 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的と主な内容 / p13 (0013.jp2)
- 1.3 参考文献 / p15 (0014.jp2)
- 第2章 MBESiドープGaAs膜の高品質化 / p20 (0017.jp2)
- 2.1 はじめに / p20 (0017.jp2)
- 2.2 MBE装置及び実験方法 / p23 (0018.jp2)
- 2.3 実験結果及び検討 / p26 (0020.jp2)
- 2.4 まとめ / p52 (0033.jp2)
- 2.5 参考文献 / p55 (0034.jp2)
- 第3章 量産MBE装置 / p58 (0036.jp2)
- 3.1 はじめに / p58 (0036.jp2)
- 3.2 量産性向上及び表面欠陥低減に対する具体的解決策 / p59 (0036.jp2)
- 3.3 新MBE装置の概要 / p60 (0037.jp2)
- 3.4 量産性及び再現性 / p74 (0044.jp2)
- 3.5 均一性 / p78 (0046.jp2)
- 3.6 表面欠陥 / p94 (0054.jp2)
- 3.7 結晶性 / p100 (0057.jp2)
- 3.8 デバイス特性 / p102 (0058.jp2)
- 3.9 まとめ / p105 (0059.jp2)
- 3.10 参考文献 / p109 (0061.jp2)
- 第4章 HEMTの低雑音化及び高信頼度化 / p111 (0062.jp2)
- 4.1 はじめに / p111 (0062.jp2)
- 4.2 超低雑音HEMTの信頼性 / p114 (0064.jp2)
- 4.3 [化学式]/[化学式]歪層チャネルHEMTの低雑音化 / p125 (0069.jp2)
- 4.4 まとめ / p150 (0082.jp2)
- 4.5 参考文献 / p153 (0083.jp2)
- 第5章 高出力GaAsFETの高性能化・高信頼度化及びHEMTの高出力化 / p157 (0085.jp2)
- 5.1 はじめに / p157 (0085.jp2)
- 5.2 MBEウエハの適用とGaAs/A1GaAs超格子緩和層の導入 / p160 (0087.jp2)
- 5.3 多段ゲートリセスによる高出力GaAsFETの高性能化及び高信頼度化 / p174 (0094.jp2)
- 5.4 N-GaAs/InGaAs歪層チャネル高出力HEMT / p200 (0107.jp2)
- 5.5 まとめ / p210 (0112.jp2)
- 5.6 参考文献 / p214 (0114.jp2)
- 第6章 結論 / p217 (0115.jp2)
- 謝辞 / p227 (0120.jp2)