MOMBE法における成長機構に関する研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
MOMBE法における成長機構に関する研究
- Author
-
渡辺, 明禎, 1955-
- Author(Another name)
-
ワタナベ, アキヨシ
- University
-
名古屋工業大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第32号
- Degree year
-
1991-12-05
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
- 第1章の参考文献 / p7 (0008.jp2)
- 第2章 μ-RHEED付きM0MBE装置 / p9 (0009.jp2)
- 2.1 序言 / p9 (0009.jp2)
- 2.2 μ-RHEED装置及びMOMBE装置の概要 / p10 (0010.jp2)
- 2.3 ガスセルの検討 / p23 (0016.jp2)
- 2.4 μ-RHEED法によるGaAs成長表面の観察 / p29 (0019.jp2)
- 2.4 結言 / p39 (0024.jp2)
- 第2章の参考文献 / p41 (0025.jp2)
- 第3章 RHEED-TRAXS法の検討 / p43 (0026.jp2)
- 3.1 序言 / p43 (0026.jp2)
- 3.2 装置の概要 / p44 (0027.jp2)
- 3.3 半導体基板表面の自然酸化膜の検出 / p45 (0027.jp2)
- 3.4 砒素雰囲気下に置かれたlnP基板表面の検討 / p51 (0030.jp2)
- 3.5 結言 / p61 (0035.jp2)
- 第3章の参考文献 / p64 (0037.jp2)
- 第4章 MOMBE法における成長速度の検討 / p65 (0037.jp2)
- 4.1 序言 / p65 (0037.jp2)
- 4.2 実験方法 / p66 (0038.jp2)
- 4.3 結果及び討論 / p67 (0038.jp2)
- 4.4 結言 / p76 (0043.jp2)
- 第4章の参考文献 / p77 (0043.jp2)
- 第5章 TMGaを用いた原子層成長における成長メカニズム / p79 (0044.jp2)
- 5.1 序言 / p79 (0044.jp2)
- 5.2 成長速度からのメカニズムの検討 / p80 (0045.jp2)
- 5.3 オージェ分析による検討 / p91 (0050.jp2)
- 5.4 有機金属としてTEGaを用いた場合 / p100 (0055.jp2)
- 5.5 結言 / p109 (0059.jp2)
- 第5章の参考文献 / p111 (0060.jp2)
- 第6章 原子層成長における水素ラジカルの効果 / p113 (0061.jp2)
- 6.1 序言 / p113 (0061.jp2)
- 6.2 水素ラジカルガン / p113 (0061.jp2)
- 6.3 GaAs基板表面の自然酸化膜の除去 / p114 (0062.jp2)
- 6.4 有機金属に対する水素ラジカルの効果 / p120 (0065.jp2)
- 6.5 結言 / p128 (0069.jp2)
- 第6章の参考文献 / p129 (0069.jp2)
- 第7章 結論 / p131 (0070.jp2)
- 謝辞 / p135 (0072.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p137 (0073.jp2)
