シリコン及びその吸着面の準安定原子電子分光
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
シリコン及びその吸着面の準安定原子電子分光
- 著者名
-
石井, 久夫, 1962-
- 著者別名
-
イシイ, ヒサオ
- 学位授与大学
-
東京大学
- 取得学位
-
理学博士
- 学位授与番号
-
甲第8945号
- 学位授与年月日
-
1991-03-29
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 第2章 固体表面の解析法 / p9 (0014.jp2)
- 2-1 準安定原子電子分光 / p10 (0015.jp2)
- 2-2 紫外光電子分光 / p15 (0020.jp2)
- 2-3 オージェ電子分光 / p17 (0022.jp2)
- 2-4 低速電子回折 / p18 (0023.jp2)
- 第3章 実験装置 / p28 (0033.jp2)
- 3-1 超高真空槽と排気系 / p28 (0033.jp2)
- 3-2 準安定原子源 / p30 (0035.jp2)
- 3-3 単色電子源 / p31 (0036.jp2)
- 3-4 真空紫外光源 / p31 (0036.jp2)
- 3-5 計測系 / p32 (0037.jp2)
- 3-6 LEED-AES装置 / p33 (0038.jp2)
- 3-7 試料の操作 / p34 (0039.jp2)
- 第4章 Si(111)-7x7清浄表面と酸化表面の準安定原子電子分光:半導体-絶縁体転移の観測 / p45 (0050.jp2)
- 4-1 序 / p45 (0050.jp2)
- 4-2 実験 / p46 (0051.jp2)
- 4-3 結果と考察 / p47 (0052.jp2)
- 第5章 シリコンの清浄表面の準安定原子電子分光 / p59 (0064.jp2)
- 5-1 Si(111)-7x7表面の準安定原子電子分光―表面準位の関与するオージェ遷移の観測― / p59 (0064.jp2)
- 5-2 MAESのdeconvolutionによる解析 / p67 (0072.jp2)
- 5-3 Si(100)-2x1表面のMAES / p73 (0078.jp2)
- 第6章 Si(100)-2x1表面上のアルカリ金属吸着層 / p89 (0094.jp2)
- (1)序論 / p89 (0094.jp2)
- (2)実験 / p93 (0098.jp2)
- (3)結果と考察 / p93 (0098.jp2)
- 報文目録 / p132 (0137.jp2)
- 講演目録 / p134 (0139.jp2)
- 謝辞 / p137 (0142.jp2)