レーザラマン分光法による金属/半導体,半導体/半導体界面の評価
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Bibliographic Information
- Title
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レーザラマン分光法による金属/半導体,半導体/半導体界面の評価
- Author
-
矢野, 亨治
- Author(Another name)
-
ヤノ, コウジ
- University
-
東京大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第9013号
- Degree year
-
1991-03-29
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- -目次- / (0003.jp2)
- 第1章 はじめに / p1 (0006.jp2)
- 第1章の参考文献 / p4 (0009.jp2)
- 第2章 レーザラマン分光法の概略 / p5 (0010.jp2)
- 2-1 概要 / p5 (0010.jp2)
- 2-2 ラマン散乱 / p5 (0010.jp2)
- 2-3 レーザラマン分光法の評価対象 / p12 (0017.jp2)
- 2-4 レーザラマン分光法の特徴 / p14 (0019.jp2)
- 2-5 レーザラマン分光装置 / p16 (0021.jp2)
- 2-6 金属/半導体､半導体/半導体界面の評価法としてのレーザラマン分光法の特徴 / p20 (0025.jp2)
- 第2章の参考文献 / p23 (0028.jp2)
- 第3章 金属/半導体界面の評価(I)-特別な表面処理を行わない場合- / p24 (0029.jp2)
- 3-1 概要 / p24 (0029.jp2)
- 3-2 試料及び実験方法 / p29 (0034.jp2)
- 3-3 In/GaAsのラマンスペクトル / p31 (0036.jp2)
- 3-4 各フォノンの同定 / p34 (0039.jp2)
- 3-5 SEMによる観測 / p42 (0047.jp2)
- 3-6 熱処理温度依存性 / p42 (0047.jp2)
- 3-7 X線回折測定による評価 / p49 (0054.jp2)
- 3-8 深さ方向の分布 / p56 (0061.jp2)
- 3-9 キャリア濃度の評価 / p58 (0063.jp2)
- 3-10 Au/GaAs系での実験 / p67 (0072.jp2)
- 3-11 第3章のまとめ / p69 (0074.jp2)
- 第3章の参考文献 / p70 (0075.jp2)
- 第4章 金属/半導体界面の評価(II)-HF前処理､(NH₄)[化学式]前処理の効果- / p72 (0077.jp2)
- 4-1 概要 / p72 (0077.jp2)
- 4-2 GaAs表面に対するHF処理の効果 / p73 (0078.jp2)
- 4-3 HF前処理､(NH₄)[化学式]前処理が[化学式]の組成に及ぼす効果 / p85 (0090.jp2)
- 4-4 第4章のまとめ / p90 (0095.jp2)
- 第4章の参考文献 / p92 (0097.jp2)
- 第5章 In/GaAs構造における混晶化と電気的特性 / p95 (0100.jp2)
- 5-1 概要 / p95 (0100.jp2)
- 5-2 実験方法 / p95 (0100.jp2)
- 5-3 熱処理温度依存性 / p98 (0103.jp2)
- 5-4 前処理依存性 / p102 (0107.jp2)
- 5-5 混晶層の組成との対応 / p103 (0108.jp2)
- 5-6 HF処理後の経時変化の影響 / p107 (0112.jp2)
- 5-7 第5章のまとめ / p109 (0114.jp2)
- 第5章の参考文献 / p110 (0115.jp2)
- 第6章 ZnSe/GaAs構造の評価 / p111 (0116.jp2)
- 6-1 概要 / p111 (0116.jp2)
- 6-2 ZnSe/GaAsのラマンスペクトル / p112 (0117.jp2)
- 6-3 高濃度にCを含むZnSeのラマンスペクトル / p114 (0119.jp2)
- 6-4 熱処理したGaAs/ZnSeからのラマンスペクトル / p122 (0127.jp2)
- 6-5 第6章のまとめ / p126 (0131.jp2)
- 第6章の参考文献 / p129 (0134.jp2)
- 第7章 まとめ / p130 (0135.jp2)
- 謝辞 / p132 (0137.jp2)
- 本研究に関連した発表等 / p133 (0138.jp2)