スパッタリング法による立方晶窒化ホウ素の作製

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著者

    • 三重野, 正寛 ミエノ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

スパッタリング法による立方晶窒化ホウ素の作製

著者名

三重野, 正寛

著者別名

ミエノ, マサヒロ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第9033号

学位授与年月日

1991-03-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 博士論文目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一章 緒言 / p1 (0005.jp2)
  3. 第二章 本研究の背景 / p4 (0008.jp2)
  4. 2.1 窒化ホウ素 / p4 (0008.jp2)
  5. 2.2 スパッタリングプロセス / p8 (0012.jp2)
  6. 参考文献 / p20 (0024.jp2)
  7. 第三章 スパッタリング法によるBN堆積 / p26 (0030.jp2)
  8. 3.1 スパッタリング法による冷却基板へのBN堆積 / p26 (0030.jp2)
  9. 3.2 基板中央配置型での基板温度制御効果 / p40 (0044.jp2)
  10. 3.3 バイアススパッタリング法によるc-BN薄膜合成 / p47 (0051.jp2)
  11. 参考文献 / p104 (0108.jp2)
  12. 第四章 総括 / p106 (0110.jp2)
  13. 参考文献 / p109 (0113.jp2)
  14. 謝辞 / p110 (0114.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081791
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081999
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246105
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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