マイクロリソグラフィ用低分子量レジスト材料(LMR)の研究
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Bibliographic Information
- Title
-
マイクロリソグラフィ用低分子量レジスト材料(LMR)の研究
- Author
-
山下, 吉雄
- Author(Another name)
-
ヤマシタ, ヨシオ
- University
-
静岡大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第39号
- Degree year
-
1992-01-21
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0005.jp2)
- 概要 / (0003.jp2)
- 目次 / (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 参考文献 / p6 (0010.jp2)
- 第2章 遠紫外線用レジスト / p9 (0011.jp2)
- 2-1 緒言 / p9 (0011.jp2)
- 2-2 リフトオフ用レジスト(LMR) / p12 (0013.jp2)
- 2-3 シリコン含有レジスト(Si-LMR) / p32 (0023.jp2)
- 2-4 結語 / p36 (0025.jp2)
- 参考文献 / p38 (0026.jp2)
- 第3章 遠紫外線用レジストLMRのネガ化機構 / p40 (0027.jp2)
- 3-1 緒言 / p40 (0027.jp2)
- 3-2 紫外線及び遠紫外線照射による溶解特性の変化 / p42 (0028.jp2)
- 3-3 遠紫外線照射による分子量の変化 / p43 (0028.jp2)
- 3-4 クロスリンク反応 / p44 (0029.jp2)
- 3-5 ナフトキノンジアジドの遠紫外線での反応 / p48 (0031.jp2)
- 3-6 LMRの遠紫外線と紫外線での反応 / p54 (0034.jp2)
- 3-7 LMRの反応メカニズム / p55 (0034.jp2)
- 3-8 結語 / p57 (0035.jp2)
- 参考文献 / p57 (0035.jp2)
- 第4章 紫外線用レジスト / p60 (0037.jp2)
- 4-1 緒言 / p60 (0037.jp2)
- 4-2 LMR-UVの基本的特性 / p61 (0037.jp2)
- 4-3 実験方法 / p64 (0039.jp2)
- 4-4 パターニング特性 / p64 (0039.jp2)
- 4-5 エッチングプロセスでの評価 / p69 (0041.jp2)
- 4-6 リフトオフプロセスでの評価 / p70 (0042.jp2)
- 4-7 デバイスプロセスへの応用 / p72 (0043.jp2)
- 4-8 現像による形状シミュレーション / p73 (0043.jp2)
- 4-9 結語 / p75 (0044.jp2)
- 参考文献 / p77 (0045.jp2)
- 第5章 電子線レジスト / p79 (0046.jp2)
- 5-1 緒言 / p79 (0046.jp2)
- 5-2 LMRの電子線露光特性 / p81 (0047.jp2)
- 5-3 シリコン含有レジスト(SCMR) / p85 (0049.jp2)
- 5-4 結語 / p104 (0059.jp2)
- 参考文献 / p105 (0059.jp2)
- 第6章 レジストプロセスへのLMRの適用 / p108 (0061.jp2)
- 6-1 緒言 / p108 (0061.jp2)
- 6-2 CELプロセス / p111 (0062.jp2)
- 6-3 HR-PCMプロセス / p119 (0066.jp2)
- 6-4 結語 / p123 (0068.jp2)
- 参考文献 / p125 (0069.jp2)
- 第7章 結論 / p127 (0070.jp2)
- 謝辞 / p131 (0072.jp2)
- 略語表 / p132 (0073.jp2)
- 本研究に関する主要論文 / p133 (0073.jp2)
