MBE成長GaAs結晶における欠陥とその低減化に関する研究

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著者

    • 篠原, 正典 シノハラ, マサノリ

書誌事項

タイトル

MBE成長GaAs結晶における欠陥とその低減化に関する研究

著者名

篠原, 正典

著者別名

シノハラ, マサノリ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第9787号

学位授与年月日

1990-07-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の目的 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 従来の研究 / p2 (0007.jp2)
  5. 1.3 本研究の概要 / p8 (0010.jp2)
  6. 1章参考文献 / p12 (0012.jp2)
  7. 第2章 MBE結晶成長法と欠陥評価法 / p15 (0013.jp2)
  8. 2.1 まえがき / p15 (0013.jp2)
  9. 2.2 MBE成長装置 / p15 (0013.jp2)
  10. 2.3 結晶成長の手順 / p17 (0014.jp2)
  11. 2.4 欠陥評価法 / p18 (0015.jp2)
  12. 2章参考文献 / p28 (0020.jp2)
  13. 第3章 GaAsエピタキシャル層中のオーバルディフェクトの電気的特性、成因および密度の低減化 / p29 (0020.jp2)
  14. 3.1 まえがき / p29 (0020.jp2)
  15. 3.2 結晶構造と電子ビーム誘起電流法による評価 / p30 (0021.jp2)
  16. 3.3 オーバルディフェクトとFET特性 / p35 (0023.jp2)
  17. 3.4 オーバルディフェクトの成因 / p44 (0028.jp2)
  18. 3.5 ディフェクト密度の低減化 / p68 (0040.jp2)
  19. 3.6 第3章のまとめ / p74 (0043.jp2)
  20. 3章参考文献 / p77 (0044.jp2)
  21. 第4章 MBE成長GaAs結晶における欠陥の発生と基板からの欠陥の伝播 / p79 (0045.jp2)
  22. 4.1 まえがき / p79 (0045.jp2)
  23. 4.2 エピタキシャル結晶および基板内の欠陥検出法 / p80 (0046.jp2)
  24. 4.3 転位の発生と基板からの伝播 / p81 (0046.jp2)
  25. 4.4 成長縞の伝播 / p102 (0057.jp2)
  26. 4.5 MBE成長GaAs結晶内表面欠陥と基板転位との相関 / p103 (0057.jp2)
  27. 4.6 第4章のまとめ / p108 (0060.jp2)
  28. 4章参考文献 / p111 (0061.jp2)
  29. 第5章 転位のキャリア濃度に与える影響とMBE成長条件との相関 / p114 (0063.jp2)
  30. 5.1 まえがき / p114 (0063.jp2)
  31. 5.2 MBE成長条件と実験方法 / p115 (0063.jp2)
  32. 5.3 成長条件とキャリア濃度との相関 / p117 (0064.jp2)
  33. 5.4 転位のキャリア濃度への影響の評価法 / p119 (0065.jp2)
  34. 5.5 GaAsエピタキシャル結晶内転位のキャリア濃度に与える影響 / p130 (0071.jp2)
  35. 5.6 GaAsエピタキシャル結晶のフォトルミネッセンスによる詐価 / p136 (0074.jp2)
  36. 5.7 転位の周囲におけるキャリア濃度の不均一性の原因 / p142 (0077.jp2)
  37. 5.8 第5章のまとめ / p153 (0082.jp2)
  38. 5章参考文献 / p155 (0083.jp2)
  39. 第6章 転位密度の低減化法とヘテロ界面近傍での転位の曲折機構 / p158 (0085.jp2)
  40. 6.1 まえがき / p158 (0085.jp2)
  41. 6.2 エピタキシャル層構造 / p159 (0085.jp2)
  42. 6.3 AlGaAs、AlAsスペーサ層の伝播転位抑制効果 / p159 (0085.jp2)
  43. 6.4 超格子スペーサ層の伝播転位抑制効果 / p161 (0086.jp2)
  44. 6.5 第6章のまとめ / p189 (0100.jp2)
  45. 6章参考文献 / p191 (0101.jp2)
  46. 第7章 総括 / p193 (0102.jp2)
  47. 謝辞 / p197 (0104.jp2)
  48. 本研究に関連する発表 / p198 (0105.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083114
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083324
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000247428
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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