直接シミュレーションモンテカルロ法による半導体成膜形状の研究

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著者

    • 池川, 正人 イケガワ, マサト

書誌事項

タイトル

直接シミュレーションモンテカルロ法による半導体成膜形状の研究

著者名

池川, 正人

著者別名

イケガワ, マサト

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第9881号

学位授与年月日

1990-11-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0006.jp2)
  3. 第2章 成膜プロセスとモデル / p4 (0009.jp2)
  4. 2.1節 成膜プロセスの種類と概要 / p4 (0009.jp2)
  5. 2.2節 モデル化 / p6 (0011.jp2)
  6. 第3章 計算手法 / p8 (0013.jp2)
  7. 3.1節 DSMC(direct simulation Monte Carlo)法の概要 / p8 (0013.jp2)
  8. 3.2節 上流境界 / p12 (0017.jp2)
  9. 3.3節 気相 / p17 (0022.jp2)
  10. 3.4節 固相 / p19 (0024.jp2)
  11. 3.5節 成膜シミュレータの全体のフローチャート / p20 (0025.jp2)
  12. 第4章 計算結果と考察 / p22 (0027.jp2)
  13. 4.1節 成膜プロセスへの適用…成膜シミュレータの検証 / p22 (0027.jp2)
  14. 4.1.1 スパッタデポジション / p22 (0027.jp2)
  15. 4.1.2 プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition) / p26 (0031.jp2)
  16. 4.1.3 熱CVD / p27 (0032.jp2)
  17. 4.2節 クヌーセン数と付着係数が成膜形状に与える影響 / p29 (0034.jp2)
  18. 第5章 結言 / p31 (0036.jp2)
  19. 謝辞 / p32 (0037.jp2)
  20. 参考文献 / p33 (0038.jp2)
  21. 付記A / p38 (0043.jp2)
  22. 図及び表 / p42 (0047.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083208
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083418
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000247522
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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