シミュレーションによる電力用半導体素子の特性研究
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Bibliographic Information
- Title
-
シミュレーションによる電力用半導体素子の特性研究
- Author
-
福井, 宏
- Author(Another name)
-
フクイ, ヒロシ
- University
-
東京大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第9924号
- Degree year
-
1990-12-13
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 半導体のCAE / p1 (0005.jp2)
- 1.2 素子シミュレーション / p4 (0007.jp2)
- 1.3 電力用素子の開発と素子特性解析への要求 / p7 (0008.jp2)
- 1.4 電力用素子のシミュレーションとその特徴 / p12 (0011.jp2)
- 1.5 本論文の目的と位置付け / p15 (0012.jp2)
- 1.6 参考文献 / p16 (0013.jp2)
- 2章 素子シミュレーション / p21 (0016.jp2)
- 2.1 モデルの構成 / p21 (0016.jp2)
- 2.2 サイリスタの一次元モデル / p25 (0018.jp2)
- 2.3 計算の妥当性 / p36 (0024.jp2)
- 2.4 サイリスタの二次元モデル / p72 (0042.jp2)
- 2.5 まとめ / p84 (0048.jp2)
- 2.6 参考文献 / p86 (0049.jp2)
- 3章 一次元モデルによるサイリスタの特性研究 / p91 (0052.jp2)
- 3.1 サイリスタの開発課題 / p91 (0052.jp2)
- 3.2 低濃度pエミッタによる高耐圧化 / p94 (0054.jp2)
- 3.3 キャリアライフタイム制御による逆回復電荷変動幅の低減 / p118 (0066.jp2)
- 3.4 試作素子の特性 / p128 (0071.jp2)
- 3.5 まとめ / p136 (0075.jp2)
- 3.6 参考文献 / p137 (0075.jp2)
- 4章 二次元モデルによるサイリスタの特性研究 / p139 (0077.jp2)
- 4.1 ゲートターンオフサイリスタの開発課題 / p139 (0077.jp2)
- 4.2 GTOのターンオン過程と電流集中 / p144 (0080.jp2)
- 4.3 GTOのターンオフ動作とその構造依存性 / p159 (0087.jp2)
- 4.4 試作素子の特性とその応用技術 / p184 (0100.jp2)
- 4.5 まとめ / p211 (0113.jp2)
- 4.6 参考文献 / p213 (0114.jp2)
- 5章 結論と今後の課題 / p215 (0116.jp2)
- 5.1 シミュレーションモデル / p216 (0117.jp2)
- 5.2 高耐圧サイリスタの性能向上 / p218 (0118.jp2)
- 5.3 ゲートターンオフサイリスタの性能向上 / p219 (0118.jp2)
- 5.4 今後に残された課題 / p220 (0119.jp2)