MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究

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著者

    • 鈴木, 孝之 スズキ, タカユキ

書誌事項

タイトル

MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究

著者名

鈴木, 孝之

著者別名

スズキ, タカユキ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第83号

学位授与年月日

1992-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Si基板上への化合物半導体の結晶成長法 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本論文の目的と構成 / p8 (0012.jp2)
  6. 参考文献 / p9 (0013.jp2)
  7. 第二章 MOCVD法によるSi基板上GaPの結晶成長 / p11 (0015.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p11 (0015.jp2)
  9. 2.2 赤外線加熱方式減圧MOCVD装置 / p11 (0015.jp2)
  10. 2.3 Si基板上のGaPの結晶成長 / p25 (0029.jp2)
  11. 2.4 Si基板上のGaPの成長機構 / p36 (0040.jp2)
  12. 2.5 まとめ / p55 (0059.jp2)
  13. 参考文献 / p57 (0061.jp2)
  14. 第三章 X線回折によるSi基板上GaPの構造解析 / p58 (0062.jp2)
  15. 3.1 はじめに / p58 (0062.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p58 (0062.jp2)
  17. 3.3 結果および検討(I)~基板のオフ角度の影響 / p65 (0069.jp2)
  18. 3.4 結果および検討(II)~成長層の膜厚の影響 / p81 (0085.jp2)
  19. 3.5 結果および検討(III)~成長温度の影響 / p89 (0093.jp2)
  20. 3.6 まとめ / p94 (0098.jp2)
  21. 参考文献 / p97 (0101.jp2)
  22. 第四章 Si基板上GaPの電気的特性 / p98 (0102.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p98 (0102.jp2)
  24. 4.2 実験方法 / p98 (0102.jp2)
  25. 4.3 GaP/Siのキャリア濃度の成長条件に対する依存性 / p101 (0105.jp2)
  26. 4.4 Au-GaP/Siショットキーバリアダイオードの特性 / p107 (0111.jp2)
  27. 4.5 まとめ / p114 (0118.jp2)
  28. 参考文献 / p116 (0120.jp2)
  29. 第五章 総括 / p117 (0121.jp2)
  30. 謝辞 / p121 (0125.jp2)
  31. 本研究に関する論文発表 / p122 (0126.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083986
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084196
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248300
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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