MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究
- 著者名
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鈴木, 孝之
- 著者別名
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スズキ, タカユキ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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甲第83号
- 学位授与年月日
-
1992-03-23
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (3コマ目)
- 第一章 序論/p1 (5コマ目)
- 1.1 はじめに/p1 (5コマ目)
- 1.2 Si基板上への化合物半導体の結晶成長法/p2 (6コマ目)
- 1.3 本論文の目的と構成/p8 (12コマ目)
- 参考文献/p9 (13コマ目)
- 第二章 MOCVD法によるSi基板上GaPの結晶成長/p11 (15コマ目)
- 2.1 はじめに/p11 (15コマ目)
- 2.2 赤外線加熱方式減圧MOCVD装置/p11 (15コマ目)
- 2.3 Si基板上のGaPの結晶成長/p25 (29コマ目)
- 2.4 Si基板上のGaPの成長機構/p36 (40コマ目)
- 2.5 まとめ/p55 (59コマ目)
- 参考文献/p57 (61コマ目)
- 第三章 X線回折によるSi基板上GaPの構造解析/p58 (62コマ目)
- 3.1 はじめに/p58 (62コマ目)
- 3.2 実験方法/p58 (62コマ目)
- 3.3 結果および検討(I)～基板のオフ角度の影響/p65 (69コマ目)
- 3.4 結果および検討(II)～成長層の膜厚の影響/p81 (85コマ目)
- 3.5 結果および検討(III)～成長温度の影響/p89 (93コマ目)
- 3.6 まとめ/p94 (98コマ目)
- 参考文献/p97 (101コマ目)
- 第四章 Si基板上GaPの電気的特性/p98 (102コマ目)
- 4.1 はじめに/p98 (102コマ目)
- 4.2 実験方法/p98 (102コマ目)
- 4.3 GaP/Siのキャリア濃度の成長条件に対する依存性/p101 (105コマ目)
- 4.4 Au-GaP/Siショットキーバリアダイオードの特性/p107 (111コマ目)
- 4.5 まとめ/p114 (118コマ目)
- 参考文献/p116 (120コマ目)
- 第五章 総括/p117 (121コマ目)
- 謝辞/p121 (125コマ目)
- 本研究に関する論文発表/p122 (126コマ目)