六方晶金属と化合物半導体のエッチングによる欠陥評価 ロッポウショウ キンゾク ト カゴウブツ ハンドウタイ ノ エッチング ニヨル ケッカン ヒョウカ
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著者
書誌事項
- タイトル
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六方晶金属と化合物半導体のエッチングによる欠陥評価
- タイトル別名
-
ロッポウショウ キンゾク ト カゴウブツ ハンドウタイ ノ エッチング ニヨル ケッカン ヒョウカ
- 著者名
-
西川, 廣信
- 著者別名
-
ニシカワ, ヒロノブ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第36号
- 学位授与年月日
-
1992-03-16
注記・抄録
博士論文
主査：梅野 正義
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 六方晶金属エッチング液の開発 / p1 (0005.jp2)
- 1.3 ｲﾋ合物半導体のエッチングによる欠陥評価 / p8 (0012.jp2)
- 第1章の参考文献 / p10 (0013.jp2)
- 第2章 カドミウム結晶表面の転位ループ / p12 (0014.jp2)
- 2.1 緒言 / p12 (0014.jp2)
- 2.2 転位エッチピット / p12 (0014.jp2)
- 2.3 転位ループ / p17 (0018.jp2)
- 2.4 結言 / p21 (0021.jp2)
- 第2章の参考文献 / p22 (0022.jp2)
- 第3章 亜鉛単結晶の(0001)表面上の転位エッチピット / p23 (0022.jp2)
- 3.1 開発の理由 / p23 (0022.jp2)
- 3.2 他の腐食液との比較 / p24 (0023.jp2)
- 3.3 実験方法(結晶の準備) / p24 (0023.jp2)
- 3.4 腐食液の組成 / p26 (0024.jp2)
- 3.5 エッチピットと転位との対応 / p26 (0024.jp2)
- 3.6 結言 / p34 (0031.jp2)
- 第3章の参考文献 / p36 (0032.jp2)
- 第4章 亜鉛単結晶のすべり機構 / p38 (0033.jp2)
- 4.1 はじめに / p38 (0033.jp2)
- 4.2 試料の作成と実験方法 / p39 (0034.jp2)
- 4.3 実験結果 / p41 (0035.jp2)
- 4.4 考察 / p50 (0043.jp2)
- 4.5 結言 / p56 (0048.jp2)
- 第4章の参考文献 / p58 (0049.jp2)
- 第5章 化合物半導体IPNの欠陥評価 / p60 (0050.jp2)
- 5.1 はじめに / p60 (0050.jp2)
- 5.2 転位との対応 / p60 (0050.jp2)
- 5.3 考察と結論 / p63 (0052.jp2)
- 第5章の参考文献 / p65 (0053.jp2)
- 第6章 MOCDV法で成長したIII-V混合物中間層を持つGaAs/Siのエッチピット研究 / p66 (0054.jp2)
- 6.1 はじめに / p66 (0054.jp2)
- 6.2 結晶成長と転位との対応 / p67 (0054.jp2)
- 6.3 結果と考察 / p69 (0056.jp2)
- 6.4 結言 / p76 (0063.jp2)
- 第6章の参考文献 / p78 (0064.jp2)
- 第7章 溶融KOHによる積層欠陥の観察 / p79 (0065.jp2)
- 7.1 はじめに / p79 (0065.jp2)
- 7.2 原子空孔による積層欠陥の形成 / p79 (0065.jp2)
- 7.3 結言 / p83 (0068.jp2)
- 第7章の参考文献 / p85 (0069.jp2)
- 第8章 溶融KOHによる転位集団のエッチング / p86 (0070.jp2)
- 8.1 はじめに / p86 (0070.jp2)
- 8.2 GaAs/Siの熱変形による転位集中化 / p86 (0070.jp2)
- 8.3 考察 / p87 (0070.jp2)
- 第8章の参考文献 / p92 (0075.jp2)
- 第9章 結論 / p93 (0075.jp2)
- 謝辞 / p96 (0077.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p97 (0077.jp2)