半導体集積回路におけるアルミニウム合金多層配線の研究
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Bibliographic Information
- Title
-
半導体集積回路におけるアルミニウム合金多層配線の研究
- Author
-
真弓, 周一
- Author(Another name)
-
マユミ, シュウイチ
- University
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大阪大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
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乙第5651号
- Degree year
-
1992-02-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 緒言 / p1 (0004.jp2)
- 第2章 A1合金配線の物理､化学特性の変化 / p6 (0007.jp2)
- 2.1)A1合金配線のアフターコロージョン / p6 (0007.jp2)
- 2.2)A1合金配線の応力による断線不良 / p14 (0011.jp2)
- 2.3)応力によるA1-Si合金からのコンタクト部へのSi析出 / p24 (0016.jp2)
- 第3章 A1合金配線の加工技術 / p30 (0019.jp2)
- 3.1)下層配線の上部角のテーパー加工 / p30 (0019.jp2)
- 3.2)上層配線のエッチング技術 / p36 (0022.jp2)
- 第4章 層間絶縁膜の平坦化技術 / p43 (0025.jp2)
- 4.1)PSG膜の高圧溶融技術 / p43 (0025.jp2)
- 4.2)エッチバック平坦化技術 / p50 (0029.jp2)
- 第5章 コンタクト形成技術 / p60 (0034.jp2)
- 5.1)BPSG膜のコンタクト穴におけるSiの増殖酸化 / p60 (0034.jp2)
- 5.2)バイアホールのエッチング時に成長するポリマー膜のA1/A1コンタクト抵抗への影響 / p66 (0037.jp2)
- 5.3 )A1腐食に起因するA1配線とA1配線間のコンタクト不良 / p71 (0039.jp2)
- 第6章 結論 / p83 (0045.jp2)
