コールドエレクトロニクスシリコン集積回路の研究

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著者

    • 易, 幼文 イー, ユーウェン

書誌事項

タイトル

コールドエレクトロニクスシリコン集積回路の研究

著者名

易, 幼文

著者別名

イー, ユーウェン

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4607号

学位授与年月日

1992-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0005.jp2)
  2. 変数名一覧 / p4 (0008.jp2)
  3. 第1章 序論 / p6 (0010.jp2)
  4. 1.1 背景 / p6 (0010.jp2)
  5. 1.2 コールドエレクトロニクスの研究状況 / p8 (0012.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的 / p8 (0012.jp2)
  7. 1.4 本論文の構成 / p9 (0013.jp2)
  8. 参考文献 / p10 (0014.jp2)
  9. 第2章 低温解析用デバイスシミュレータの開発 / p12 (0016.jp2)
  10. 2.1 序言 / p12 (0016.jp2)
  11. 2.2 シミュレーションの手法 / p13 (0017.jp2)
  12. 2.3 変数の物理的制限法 / p15 (0019.jp2)
  13. 2.4 シミュレーションの例 / p19 (0023.jp2)
  14. 2.5 結言 / p21 (0025.jp2)
  15. 参考文献 / p22 (0026.jp2)
  16. 図表 / p24 (0028.jp2)
  17. 第3章 温度スケーリング則の提案 / p33 (0037.jp2)
  18. 3.1 序言 / p33 (0037.jp2)
  19. 3.2 スケーリング概念の三要素 / p33 (0037.jp2)
  20. 3.3 温度スケーリング則の考え方 / p34 (0038.jp2)
  21. 3.4 温度スケーリング則での各パラメータ / p36 (0040.jp2)
  22. 3.5 シミュレーションの結果 / p38 (0042.jp2)
  23. 3.6 温度スケーリング則と寸法スケーリング則 / p39 (0043.jp2)
  24. 3.7 結言 / p40 (0044.jp2)
  25. 参考文献 / p41 (0045.jp2)
  26. 図表 / p42 (0046.jp2)
  27. 第4章 温度スケーリング則の実証 / p48 (0052.jp2)
  28. 4.1 序言 / p48 (0052.jp2)
  29. 4.2 実験方法 / p48 (0052.jp2)
  30. 4.3 実験結果 / p49 (0053.jp2)
  31. 4.4 結言 / p51 (0055.jp2)
  32. 参考文献 / p52 (0056.jp2)
  33. 図表 / p53 (0057.jp2)
  34. 第5章 微細形状効果と温度スケーリング則 / p60 (0064.jp2)
  35. 5.1 序言 / p60 (0064.jp2)
  36. 5.2 基板パンチスルー電流を考慮した微細形状効果のモデル / p61 (0065.jp2)
  37. 5.3 温度スケーリング則を適用する場合の微細形状効果 / p66 (0070.jp2)
  38. 5.4 結言 / p68 (0072.jp2)
  39. 参考文献 / p69 (0073.jp2)
  40. 図表 / p70 (0074.jp2)
  41. 第6章 1V電源の77K動作0.12μmMOSFETの設計と特性 / p79 (0083.jp2)
  42. 6.1 序言 / p79 (0083.jp2)
  43. 6.2 デバイスの設計と特性 / p79 (0083.jp2)
  44. 6.3 遅延時間と消費電力 / p81 (0085.jp2)
  45. 6.4 コールドエレクトロニクス集積回路の実用化ヘの展望 / p83 (0087.jp2)
  46. 6.5 結言 / p87 (0091.jp2)
  47. 参考文献 / p88 (0092.jp2)
  48. 図表 / p90 (0094.jp2)
  49. 第7章 結論 / p104 (0108.jp2)
  50. 謝辞 / p107 (0111.jp2)
  51. 付録 / p108 (0112.jp2)
  52. A.サブスレッショルドスイングと低電源電圧駆動 / p108 (0112.jp2)
  53. B.順方向基板バイアスと低しきい値電圧の実現 / p108 (0112.jp2)
  54. C.キャリヤ移動度と配線抵抗 / p110 (0114.jp2)
  55. 参考文献 / p112 (0116.jp2)
  56. 図表 / p113 (0117.jp2)
  57. 本研究に関する発表 / p120 (0124.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084995
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085208
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000249309
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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