高清浄CVD法によるSi-Ge系薄膜の低温形成とその応用に関する研究

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著者

    • 加藤, 学 カトウ, マナブ

書誌事項

タイトル

高清浄CVD法によるSi-Ge系薄膜の低温形成とその応用に関する研究

著者名

加藤, 学

著者別名

カトウ, マナブ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4613号

学位授与年月日

1992-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0005.jp2)
  5. 参考文献 / p4 (0005.jp2)
  6. 第2章 高清浄減圧CVD装置 / p6 (0006.jp2)
  7. 2.1 序言 / p6 (0006.jp2)
  8. 2.2 CVDにおける原料ガスの輸送と表面反応 / p6 (0006.jp2)
  9. 2.3 CVD反応雰囲気の高清浄化 / p9 (0008.jp2)
  10. 2.4 高消浄化の効果 / p21 (0014.jp2)
  11. 2.5 結言 / p30 (0018.jp2)
  12. 参考文献 / p32 (0019.jp2)
  13. 第3章 Si酸化膜上におけるSi及びSixGe₁₋x核形成制御と選択成長 / p35 (0021.jp2)
  14. 3.1 序言 / p35 (0021.jp2)
  15. 3.2 実験方法 / p36 (0021.jp2)
  16. 3.3 実験結果及び考察 / p37 (0022.jp2)
  17. 3.4 結言 / p50 (0028.jp2)
  18. 参考文献 / p51 (0029.jp2)
  19. 第4章 Si及びSixGe₁₋x薄膜の低温CVDエピタキシャル成長機構 / p53 (0030.jp2)
  20. 4.1 序言 / p53 (0030.jp2)
  21. 4.2 実験方法 / p53 (0030.jp2)
  22. 4.3 実験結果 / p55 (0031.jp2)
  23. 4.4 考察 / p61 (0034.jp2)
  24. 4.5 結言 / p68 (0037.jp2)
  25. 参考文献 / p69 (0038.jp2)
  26. 第5章 Si低温エピタキシャル成長層を用いたデルタドープMOSFETの製作 / p71 (0039.jp2)
  27. 5.1 序言 / p71 (0039.jp2)
  28. 5.2 Siエピタキシャル層の高品質化 / p71 (0039.jp2)
  29. 5.3 pn接合の製作 / p74 (0040.jp2)
  30. 5.4 MOSFETの製作 / p79 (0043.jp2)
  31. 5.5 結言 / p86 (0046.jp2)
  32. 参考文献 / p88 (0047.jp2)
  33. 第6章 結論 / p89 (0048.jp2)
  34. 謝辞 / p93 (0050.jp2)
  35. 本研究に関する発表 / p94 (0050.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000085001
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085214
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000249315
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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