高分解能電子顕微鏡法による半導体界面の微細構造解析に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
高分解能電子顕微鏡法による半導体界面の微細構造解析に関する研究
- Author
-
柴山, 環樹
- Author(Another name)
-
シバヤマ, タマキ
- University
-
北海道大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第3039号
- Degree year
-
1992-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 半導体の結晶構造解析 / p6 (0012.jp2)
- 1.3 化合物半導体の物性 / p9 (0015.jp2)
- 1.4 半導体と電気的特性に関する研究 / p14 (0020.jp2)
- 1.5 本研究の目的と意義 / p19 (0025.jp2)
- 参考文献 / p21 (0027.jp2)
- 第二章 高分解能電子顕微鏡法 / p24 (0030.jp2)
- 2.1 緒言 / p24 (0030.jp2)
- 2.2 結像機構 / p28 (0034.jp2)
- 2.3 高分解能電子顕微鏡装置 / p31 (0037.jp2)
- 2.4 高分解能観察用試料作成法 / p36 (0042.jp2)
- 2.5 結晶構造像の結像理論 / p44 (0050.jp2)
- 2.6 高分解能電顕像の検証 / p57 (0063.jp2)
- 2.7 マルチスライス法 / p59 (0065.jp2)
- 2.8 結晶構造像の観察方法 / p64 (0070.jp2)
- 参考文献 / p66 (0072.jp2)
- 第三章 半導体/絶縁膜界面 / p67 (0073.jp2)
- 3.1 緒言 / p67 (0073.jp2)
- 3.2 Si/native oxide界面 / p69 (0075.jp2)
- 3.3 GaAs/陽極酸化膜界面 / p74 (0080.jp2)
- 3.4 GaAs/[化学式]界面 / p84 (0090.jp2)
- 3.5 InP/native oxide界面 / p89 (0095.jp2)
- 3.6 GaAs/[化学式]界面 / p93 (0099.jp2)
- 3.7 結言 / p97 (0103.jp2)
- 参考文献 / p100 (0106.jp2)
- 第四章 計算機シミュレーションによる界面構造の解析 / p101 (0107.jp2)
- 4.1 緒言 / p101 (0107.jp2)
- 4.2 計算機シミュレーションの方法 / p102 (0108.jp2)
- 4.3 高分解能電子顕微鏡の先学定数について / p102 (0108.jp2)
- 4.4 ユニットセル(単位胞)のサイズの決定方法 / p103 (0109.jp2)
- 4.5 InPユニットセルの計算結果 / p105 (0111.jp2)
- 4.6 InP/空間と仮定したユニットセルの計算結果 / p105 (0111.jp2)
- 4.7 結晶質×3+空間×3ユニットセルを用いたInP/native oxide界面の計算結果 / p107 (0113.jp2)
- 4.8 結晶構造像と計算像の比較検討 / p108 (0114.jp2)
- 4.9 annealed GaAs/[化学式]界面の計算機シミュレーションによる検討 / p109 (0115.jp2)
- 4.10 GaAs/陽極酸化膜界面近傍の組成と結晶構造像 / p111 (0117.jp2)
- 4.11 結言 / p112 (0118.jp2)
- 参考文献 / p112 (0118.jp2)
- 第五章 半導体/半導体界面 / p113 (0119.jp2)
- 5.1 緒言 / p113 (0119.jp2)
- 5.2 GaAs/InAs超格子半導体界面 / p115 (0121.jp2)
- 5.3(GaAs)₁.₇/(InAs)₂.₃超格子半導体 / p116 (0122.jp2)
- 5.4(GaAs)₁₂/(InAs)₆超格子半導体 / p119 (0125.jp2)
- 5.5 考察 / p123 (0129.jp2)
- 5.6 結言 / p126 (0132.jp2)
- 参考文献 / p127 (0133.jp2)
- 第六章 総括 / p128 (0134.jp2)
- 謝辞 / (0137.jp2)
- Appendix / (0139.jp2)