強誘電体セラミックを絶縁層に用いる多機能性薄膜ELデバイスに関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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強誘電体セラミックを絶縁層に用いる多機能性薄膜ELデバイスに関する研究
- 著者名
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宮田, 俊弘
- 著者別名
-
ミヤタ, トシヒロ
- 学位授与大学
-
金沢工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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甲第16号
- 学位授与年月日
-
1992-03-18
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 レクトロルミネッセンスデバイスの歴史と現状 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の目的および本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 ICTFELデバイスの構造と作製方法 / p8 (0009.jp2)
- 2.1 序言 / p8 (0009.jp2)
- 2.2 セラミックス使用ELデバイス / p9 (0009.jp2)
- 2.3 ICTFELデバイスの作製方法 / p15 (0012.jp2)
- 2.4 結言 / p18 (0014.jp2)
- 第3章 ZnS薄膜のMOCVD法による作製 / p20 (0015.jp2)
- 3.1 序言 / p20 (0015.jp2)
- 3.2 MOCVD装置の概要 / p20 (0015.jp2)
- 3.3 II族およびVI族ソース / p22 (0016.jp2)
- 3.4 ZnS薄膜の作製手順 / p22 (0016.jp2)
- 3.5 ZnS薄膜の作製結果 / p25 (0017.jp2)
- 3.6 反応･成膜メカニズム / p38 (0024.jp2)
- 3.7 結言 / p40 (0025.jp2)
- 第4章 ZnS:Mn薄膜を用いたZnS:Mn/ICTFELデバイスのEL特性 / p42 (0026.jp2)
- 4.1 序言 / p42 (0026.jp2)
- 4.2 EL特性の発光層作製条件依存性 / p42 (0026.jp2)
- 4.3 考察 / p66 (0038.jp2)
- 4.4 結言 / p77 (0043.jp2)
- 第5章 ZnS:Mn/ICTFELデバイスのパターニング / p79 (0044.jp2)
- 5.1 序言 / p79 (0044.jp2)
- 5.2 ECRプラズマRIE法 / p80 (0045.jp2)
- 5.3 エッチング方法 / p82 (0046.jp2)
- 5.4 エッチング特性 / p84 (0047.jp2)
- 5.5 ICTFELデバイスのパターニング / p98 (0054.jp2)
- 5.6 考察 / p104 (0057.jp2)
- 5.7 結言 / p107 (0058.jp2)
- 第6章 ICTFELデバイスの多機能化に関する検討 / p108 (0059.jp2)
- 6.1 序言 / p108 (0059.jp2)
- 6.2 発音形ICTFELデバイス / p109 (0059.jp2)
- 6.3 電気―光情報処理機能付きICTFELデバイス / p121 (0065.jp2)
- 6.4 結言 / p128 (0069.jp2)
- 第7章 ICTFELデバイスのフルカラー化 / p130 (0070.jp2)
- 7.1 序言 / p130 (0070.jp2)
- 7.2 Zn₂Si0₄:Mn薄膜発光層を用いた緑色発光ICTFELデバイス / p132 (0071.jp2)
- 7.3 動作機構 / p146 (0078.jp2)
- 7.4 Y₂O₃:Eu およびSr₂P₂O₇:Eu薄膜発光層をそれぞれ用いた赤色発光および青色発光ICTFELデバイス / p152 (0081.jp2)
- 7.5 Sr₂P₂0₇:Eu薄膜発光層を用いた青色発光ICTFELデバイス / p156 (0083.jp2)
- 7.6 各種酸化物蛍光体薄膜を発光層に用いたICTFELデバイスの発光状態 / p158 (0084.jp2)
- 7.7 結言 / p158 (0084.jp2)
- 第8章 結論 / p161 (0085.jp2)
- 謝辞 / p164 (0087.jp2)
- 参考文献 / p166 (0088.jp2)
- 本研究に関連する発表論文 / p172 (0091.jp2)