窒化ニオブ超伝導体を用いたジョセフソン集積回路技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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窒化ニオブ超伝導体を用いたジョセフソン集積回路技術に関する研究
- 著者名
-
青柳, 昌宏
- 著者別名
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アオヤギ, マサヒロ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第39号
- 学位授与年月日
-
1992-06-04
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p7 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の概要 / p8 (0008.jp2)
- 参考文献 / p10 (0009.jp2)
- 第2章 NbNを電極に用いたジョセフソン接合作製技術 / p12 (0010.jp2)
- 2.1 序 / p12 (0010.jp2)
- 2.2 NbN膜の堆積方法と諸特性 / p13 (0010.jp2)
- 2.3 NbN接合作製技術に用いるドライエッチング工程 / p15 (0011.jp2)
- 2.4 NbN電極ジョセフソントンネル接合作製工程 / p20 (0014.jp2)
- 2.5 NbN放電酸化膜を用いたNbN接合作製技術 / p22 (0015.jp2)
- 2.6 MgO膜をトンネル障壁として用いたNbN接合作製技術 / p24 (0016.jp2)
- 2.7 結言 / p29 (0018.jp2)
- 参考文献 / p31 (0019.jp2)
- 第3章 ジョセフソン臨界電流のバラツキと再現性の検討 / p33 (0020.jp2)
- 3.1 序 / p33 (0020.jp2)
- 3.2 多数個集積された接合における臨界電流のバラツキ / p33 (0020.jp2)
- 3.3 接合の臨界電流密度の再現性(製造バラツキ) / p38 (0023.jp2)
- 3.4 結言 / p48 (0028.jp2)
- 参考文献 / p50 (0029.jp2)
- 第4章 NbNジョセフソン接合を用いた集積回路技術 / p52 (0030.jp2)
- 4.1 序 / p52 (0030.jp2)
- 4.2 NbNジョセフソン接合を用いた集積回路作製技術 / p53 (0030.jp2)
- 4.3 読み出し専用メモリ集積回路の試作と動作評価 / p58 (0033.jp2)
- 4.4 結言 / p75 (0041.jp2)
- 参考文献 / p76 (0042.jp2)
- 第5章 ジョセフソン接合作製技術の高度化 I / p78 (0043.jp2)
- 5.1 序 / p78 (0043.jp2)
- 5.2 a-Si:Hトンネル障壁を用いたNbN接合の作製 / p78 (0043.jp2)
- 5.3 接合特性の評価 / p80 (0044.jp2)
- 5.4 接合容量の評価 / p81 (0044.jp2)
- 5.5 論理回路を用いた接合容量の評価 / p83 (0045.jp2)
- 5.6 結言 / p87 (0047.jp2)
- 参考文献 / p88 (0048.jp2)
- 第6章 ジョセフソン接合作製技術の高度化 II / p89 (0048.jp2)
- 6.1 序 / p89 (0048.jp2)
- 6.2 CLIP法による接合作製 / p90 (0049.jp2)
- 6.3 電子ビーム直接描画法を用いた接合作製技術 / p98 (0053.jp2)
- 6.4 サブミクロンNbN接合を用いた集積回路技術 / p105 (0056.jp2)
- 6.5 サブミクロンNbN接合を用いた集積回路の論理遅延測定 / p111 (0059.jp2)
- 6.6 結言 / p116 (0062.jp2)
- 参考文献 / p118 (0063.jp2)
- 第7章 総括 / p120 (0064.jp2)
- 謝辞 / p123 (0065.jp2)
- 発表論文等 / p124 (0066.jp2)