化学蒸着法によるホウ素薄膜および窒化チタン薄膜生成反応の速度論的研究

この論文にアクセスする

タイトル別名: kagaku jochakuho ni yoru hoso hakumaku oyobi chikka chitan hakumaku seisei han'no no sokudoronteki kenkyu

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲899号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-02-06 ; 早大学位記番号:新1768 ; 理工学図書館請求番号:1507

目次 / p1 (0003.jp2)
第1章序論 / p1 (0006.jp2)
1.1 本研究の目的 / p1 (0006.jp2)
1.2 従来の研究 / p3 (0008.jp2)
1.3 本研究の解析手法 / p4 (0009.jp2)
参考文献 / p7 (0012.jp2)
第2章 CVD法によるホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p8 (0013.jp2)
I.CVD法によるモリブデン基板上でのホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p8 (0013.jp2)
II.CVD法によるタングステン基板上でのホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p29 (0034.jp2)
参考文献 / p41 (0046.jp2)
第3章 CVD法によるTiN薄膜生成反応の速度論的研究 / p43 (0048.jp2)
3.1 緒言 / p43 (0048.jp2)
3.2 実験方法および結果 / p43 (0048.jp2)
3.3 考察 / p54 (0059.jp2)
3.4 結言 / p64 (0069.jp2)
参考文献 / p67 (0072.jp2)
第4章 TiN上へのH₂,N₂,TiCl₄の化学吸着平衡 / p68 (0073.jp2)
4.1 緒言 / p68 (0073.jp2)
4.2 実験方法 / p69 (0074.jp2)
4.3 実験結果および考察 / p77 (0082.jp2)
4.4 結言 / p92 (0097.jp2)
参考文献 / p92 (0097.jp2)
第5章光励起CVD法によるTiN薄膜生成の反応過程に関する研究 / p93 (0098.jp2)
5.1 緒言 / p93 (0098.jp2)
5.2 実験方法 / p93 (0098.jp2)
5.3 実験結果 / p98 (0103.jp2)
5.4 考察 / p102 (0107.jp2)
5.5 結言 / p104 (0109.jp2)
参考文献 / p105 (0110.jp2)
第6章総括 / p106 (0111.jp2)
謝辞 / p109 (0114.jp2)
研究業績 / p110 (0115.jp2)