有機金属気相成長法によるAlGaInPの結晶成長に関する研究 yuki kinzoku kiso seichoho ni yoru eierujieiaienupi no kessho seicho ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
-
有機金属気相成長法によるAlGaInPの結晶成長に関する研究
- Other Title
-
yuki kinzoku kiso seichoho ni yoru eierujieiaienupi no kessho seicho ni kansuru kenkyu
- Author
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池田, 昌夫
- Author(Another name)
-
イケダ, マサオ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第862号
- Degree year
-
1991-12-05
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙862号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991-12-05 ; 早大学位記番号:新1757 ; 理工学図書館請求番号:1498
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1-2 AlGaInP混晶 / p2 (0005.jp2)
- 1-3 AlGaInP混晶の有機金属気相成長法(MOCVD)とその問題点 / p4 (0006.jp2)
- 1-4 本論文の目的と構成 / p5 (0006.jp2)
- 第2章 MOCVDによるAlGaInP混晶のエピタキシャル成長 / p7 (0007.jp2)
- 2-1 原料の選択とMOCVDの改良 / p7 (0007.jp2)
- 2-2 組成制御 / p9 (0008.jp2)
- 2-3 成長層均一性の改善 / p16 (0012.jp2)
- 第3章 AlGaInP成長層の特性評価 / p18 (0013.jp2)
- 3-1 電気的特性 / p19 (0013.jp2)
- 3-2 光学的特性 / p57 (0032.jp2)
- 3-3 自然超格子 / p81 (0044.jp2)
- 第4章 AlGaInP系可視光半導体レーザの作製 / p91 (0049.jp2)
- 4-1 GalnPを活性層とする可視光半導体レーザ / p92 (0050.jp2)
- 4-2 AlGaInP系可視光半導体レーザの短波長化 / p102 (0055.jp2)
- 4-3 AlGaAs系半導体レーザとの比較 / p109 (0058.jp2)
- 第5章 結論 / p112 (0060.jp2)
- 参考文献 / p114 (0061.jp2)
- 謝辞 / p119 (0063.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p120 (0064.jp2)
