中性子転換注入によるGaAsへのドーピングに関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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中性子転換注入によるGaAsへのドーピングに関する研究
- 著者名
-
佐藤, 政孝
- 著者別名
-
サトウ, マサタカ
- 学位授与大学
-
法政大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第25号
- 学位授与年月日
-
1992-03-24
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 第2章 半導体への中性子照射効果 / p6 (0007.jp2)
- 2.1 中性子と固体の相互作用 / p6 (0007.jp2)
- 2.2 GaAsへの不純物ドーピングへの応用 / p9 (0008.jp2)
- 第3章 中性子照射GaAsの電気特性 / p15 (0011.jp2)
- 3.1 中性子照射設備と照射条件 / p15 (0011.jp2)
- 3.2 電気特性の熱処理温度依存性 / p26 (0017.jp2)
- 3.3 結論 / p32 (0020.jp2)
- 第4章 GaAsにおける中性子照射損傷 / p33 (0020.jp2)
- 4.1 格子欠陥の評価 / p33 (0020.jp2)
- 4.2 電気的･光学的評価 / p51 (0029.jp2)
- 4.3 結論 / p63 (0035.jp2)
- 第5章 中性子転換注入法によるGaAsの電気特性制御 / p64 (0036.jp2)
- 5.1 不純物の電気的活性化 / p64 (0036.jp2)
- 5.2 中性子照射量と電気特性の関係 / p99 (0053.jp2)
- 5.3 GaAsデバイス応用への展望 / p103 (0055.jp2)
- 5.4 結論 / p108 (0058.jp2)
- 第6章 結論 / p109 (0058.jp2)
- 付録 Inドープ無転位GaAsの結晶性評価 / p110 (0059.jp2)
- 付.1 格子歪の評価 / p111 (0059.jp2)
- 付.2 欠陥準位の挙動 / p117 (0062.jp2)
- 付.3 結論 / p128 (0068.jp2)
- 謝辞 / p129 (0068.jp2)
- 参考文献 / p130 (0069.jp2)
- 研究業績 / p139 (0073.jp2)