電子サイクロトロン共鳴プラズマ法による半導体のサブミクロン加工に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
電子サイクロトロン共鳴プラズマ法による半導体のサブミクロン加工に関する研究
- 著者名
-
寒川, 誠二
- 著者別名
-
サムカワ, セイジ
- 学位授与大学
-
慶應義塾大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第2423号
- 学位授与年月日
-
1992-02-05
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p8 (0010.jp2)
- 1-3 本論文の構成と展開 / p8 (0010.jp2)
- 参考文献 / p11 (0011.jp2)
- 第2章 ECRプラズマの生成原理と課題 / p23 (0017.jp2)
- 2-1 まえがき / p23 (0017.jp2)
- 2-2 ECRプラズマの生成原理 / p23 (0017.jp2)
- 2-3 ECRプラズマエッチングの優位性 / p27 (0019.jp2)
- 2-4 ECRプラズマエッチングの問題点 / p30 (0021.jp2)
- 2-5 第2章のまとめ / p31 (0021.jp2)
- 参考文献 / p33 (0022.jp2)
- 第3章 ECRプラズマ状態の解析 / p45 (0028.jp2)
- 3-1 まえがき / p45 (0028.jp2)
- 3-2 ECRプラズマ中のイオン電流密度分布 / p46 (0029.jp2)
- 3-3 ECRプラズマ中のイオンエネルギー分布 / p48 (0030.jp2)
- 3-4 ECRプラズマ中のイオンの運動方向 / p51 (0031.jp2)
- 3-5 第3章のまとめ / p53 (0032.jp2)
- 参考文献 / p54 (0033.jp2)
- 第4章 実用的ECRプラズマ源の開発 / p70 (0041.jp2)
- 4-1 まえがき / p70 (0041.jp2)
- 4-2 マイクロ波導入窓径とECRプラズマ放電効率 / p71 (0041.jp2)
- 4-3 磁場分布とマイクロ波の吸収効率 / p73 (0042.jp2)
- 4-4 ECRプラズマの均一性とエッチング特性 / p76 (0044.jp2)
- 4-5 第4章のまとめ / p78 (0045.jp2)
- 参考文献 / p79 (0045.jp2)
- 第5章 リン･ドープ･ポリシリコン膜エッチングへの適用 / p101 (0056.jp2)
- 5-1 まえがき / p101 (0056.jp2)
- 5-2 塩素ガスプラズマによるSiエッチング機構 / p102 (0057.jp2)
- 5-3 実験方法 / p105 (0058.jp2)
- 5-4 ECRプラズマ中の基板位置とエッチング特性 / p106 (0059.jp2)
- 5-5 エッチング圧力依存性 / p108 (0060.jp2)
- 5-6 基板温度依存性 / p109 (0060.jp2)
- 5-7 0₂ガス添加効果 / p110 (0061.jp2)
- 5-8 第5章のまとめ / p111 (0061.jp2)
- 参考文献 / p113 (0062.jp2)
- 第6章 WSix/poly-Si膜エッチングへの適用 / p128 (0070.jp2)
- 6-1 まえがき / p128 (0070.jp2)
- 6-2 塩素ガスプラズマによるWのエッチング機構 / p129 (0070.jp2)
- 6-3 実験方法 / p130 (0071.jp2)
- 6-4 Cl₂ガスプラズマ中でのエッチング特性 / p130 (0071.jp2)
- 6-5 Cl₂ガスプラズマヘのSF₆添加効果 / p132 (0072.jp2)
- 6-6 Cl₂/SF₆混合ガスプラズマヘの0₂添加効果 / p133 (0072.jp2)
- 6-7 第6章のまとめ / p134 (0073.jp2)
- 参考文献 / p135 (0073.jp2)
- 第7章 Al-Si-Cu合金膜エッチングへの適用 / p147 (0079.jp2)
- 7-1 まえがき / p147 (0079.jp2)
- 7-2 Alエッチング機構 / p149 (0080.jp2)
- 7-3 実験方法 / p149 (0080.jp2)
- 7-4 高周波バイアス印加効果 / p150 (0081.jp2)
- 7-5 Cl₂ガスプラズマ中でのエッチング特性 / p152 (0082.jp2)
- 7-6 Cl₂ガスプラズマヘのBCl₃添加効果 / p154 (0083.jp2)
- 7-7 Al-Si-Cuエッチング後の残留Clによる腐食 / p156 (0084.jp2)
- 7-8 第7章のまとめ / p157 (0084.jp2)
- 参考文献 / p158 (0085.jp2)
- 第8章 半導体デバイスに与える損傷 / p176 (0094.jp2)
- 8-1 まえがき / p176 (0094.jp2)
- 8-2 実験方法 / p177 (0094.jp2)
- 8-3 ゲートポリシリコンエッチング時の損傷 / p178 (0095.jp2)
- 8-4 荷電粒子のチャージアップによる損傷 / p179 (0095.jp2)
- 8-5 第8章のまとめ / p181 (0096.jp2)
- 参考文献 / p183 (0097.jp2)
- 第9章 結論 / p195 (0103.jp2)
- 謝辞 / p199 (0105.jp2)
- 論文 / p200 (0106.jp2)