Studies of fluorides/sulfur-treated GaAs interfaces and their applications to MIS devices 弗化物/硫黄処理GaAs界面の評価とMISデバイスへの応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Studies of fluorides/sulfur-treated GaAs interfaces and their applications to MIS devices
- タイトル別名
-
弗化物/硫黄処理GaAs界面の評価とMISデバイスへの応用に関する研究
- 著者名
-
Ricard, Herve
- 著者別名
-
リカー, エルヴェ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2497号
- 学位授与年月日
-
1992-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 1 INTRODUCTION / (0009.jp2)
- 1-1 purpose of this study / p6 (0010.jp2)
- 1-2 History of GaAs passivation / p7 (0011.jp2)
- 1-3 The most promising process:(NH₄)₂Sx / p12 (0016.jp2)
- 2 EXPERIMENTAL PROCEDURE / (0018.jp2)
- 2-1 Introduction / p14 (0019.jp2)
- 2-2 Experimental procedure / p16 (0021.jp2)
- 3 CHARACTERIZATION OF GaF₃/GaAs(SULFUR TREATED) / (0033.jp2)
- 3-1 Introduction / p28 (0034.jp2)
- 3-2 Properties of gallium fluoride(GaF₃) / p28 (0034.jp2)
- 3-3 Physico-chemical characterizations / p29 (0035.jp2)
- 3-4 Electrical characterizations / p33 (0039.jp2)
- 4 CHARACTERIZATIONS OF CaF₂/GaAs(SULFUR TREATED) / (0063.jp2)
- 4-1 Presentation of the past results / p57 (0064.jp2)
- 4-2 The properties of CaF₂ / p57 (0064.jp2)
- 4-3 Physico-chemical characterizations / p58 (0065.jp2)
- 4-4 Electrical characterizations / p62 (0069.jp2)
- 4-5 Conclusion / p69 (0076.jp2)
- 5 COMPARISON BETWEEN GaF₃/GaAs AND CaF₂ / GaAs STRUCTURES (0078.jp2)
- 5-1 Introduction / p71 (0079.jp2)
- 5-2 Model for sulfur treated GaAs surface / p71 (0079.jp2)
- 5-3 Modeling the GaF₃/S/GaAs interface / p75 (0083.jp2)
- 5-4 Modeling the CaF₂/S/GaAs interface / p77 (0085.jp2)
- 5-5 Conclusion / p79 (0087.jp2)
- 6 FINAL CONCLUSION AND FUTURE PROSPECTS / p81 (0089.jp2)
- References / p85 (0093.jp2)
- Acknowledgements / p88 (0096.jp2)
- List of publications / p89 (0097.jp2)