Al[x]Ga[1-x]NのMOVPE成長と結晶学的、光学的特性に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
Al[x]Ga[1-x]NのMOVPE成長と結晶学的、光学的特性に関する研究
- Author
-
伊藤, 健治
- Author(Another name)
-
イトウ, ケンジ
- University
-
名古屋大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第2551号
- Degree year
-
1992-03-04
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- §1.1 III-V族化合物半導体とその混晶 / p1 (0006.jp2)
- §1.2 本研究の目的と構成 / p4 (0008.jp2)
- 参考文献-1 / p6 (0009.jp2)
- 第2章 AℓNバッファ層を用いた高品質GaN膜の結晶成長と結晶学的および光学的、電気的特性 / p7 (0009.jp2)
- §2.1 緒言 / p7 (0009.jp2)
- §2.2 実験方法 / p8 (0010.jp2)
- §2.3 GaN膜の表面形態 / p11 (0011.jp2)
- §2.4 GaN膜中の残留応力 / p13 (0012.jp2)
- §2.5 GaN-サファイア界面の電気的特性に及ぼす影響 / p18 (0015.jp2)
- §2.6 結言 / p20 (0016.jp2)
- 参考文献-2 / p21 (0016.jp2)
- 第3章 GaN膜上への[化学式]膜([化学式])の結晶成長 / p23 (0017.jp2)
- §3.1 緒言 / p23 (0017.jp2)
- §3.2 結晶成長方法および条件 / p24 (0018.jp2)
- §3.3 [化学式]膜の表面形態 / p24 (0018.jp2)
- §3.4 クラックの発生機構 / p29 (0020.jp2)
- §3.5 結言 / p37 (0024.jp2)
- 参考文献-3 / p38 (0025.jp2)
- 第4章 無添加[化学式]膜の結晶学的、光学的特性 / p39 (0025.jp2)
- §4.1 緒言 / p39 (0025.jp2)
- §4.2 実験方法 / p40 (0026.jp2)
- §4.3 結晶学的特性および光学的特性 / p41 (0026.jp2)
- §4.4 結言 / p48 (0030.jp2)
- 参考文献-4 / p49 (0030.jp2)
- 第5章 Zn添加[化学式]膜の結晶成長と結晶学的特性および発光特性 / p50 (0031.jp2)
- §5.1 緒言 / p50 (0031.jp2)
- §5.2 Zn添加[化学式]膜の結晶成長 / p50 (0031.jp2)
- §5.3 Zn添加[化学式]膜の結晶学的特性 / p51 (0031.jp2)
- §5.4 Zn添加[化学式]膜の発光特性 / p55 (0033.jp2)
- §5.4.1 Zn添加[化学式]膜の発光スペクトル / p55 (0033.jp2)
- §5.4.2 発光スペクトルの組成依存性 / p57 (0034.jp2)
- §5.5 不純物によって形成される深い準位 / p62 (0037.jp2)
- §5.6 結言 / p64 (0038.jp2)
- 参考文献-5 / p68 (0040.jp2)
- 付録 / p69 (0040.jp2)
- §A.1 強結合法を用いたバンド構造の計算方法 / p69 (0040.jp2)
- §A.2 グリーン関数を用いた深い準位の計算方法 / p75 (0043.jp2)
- 参考文献-A / p78 (0045.jp2)
- 第6章 GaN/Aℓ₀.₁Ga₀.₉N多層膜の作製と結晶学的特性および発光特性 / p79 (0045.jp2)
- §6.1 緒言 / p79 (0045.jp2)
- §6.2 実験方法 / p80 (0046.jp2)
- §6.3 多層膜の結晶学的特性 / p83 (0047.jp2)
- §6.4 多層膜の構造の制御性 / p86 (0049.jp2)
- §6.5 多層膜の発光特性と量子サイズ効果 / p88 (0050.jp2)
- §6.6 結言 / p91 (0051.jp2)
- 参考文献-6 / p93 (0052.jp2)
- 第7章 総括 / p95 (0053.jp2)
- 謝辞 / p100 (0056.jp2)
- 本研究に関する発表 / p101 (0056.jp2)