GaAs/AlGaAs二重量子井戸構造における電気伝導に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
GaAs/AlGaAs二重量子井戸構造における電気伝導に関する研究
- 著者名
-
奥野, 英一
- 著者別名
-
オクノ, エイイチ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2610号
- 学位授与年月日
-
1992-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- §1-1 緒言 / p1 (0006.jp2)
- §1-2 半導体超格子構造の特徴 / p2 (0007.jp2)
- §1-3 ヘテロ構造･超格子構造を利用したデバイス / p9 (0010.jp2)
- §1-4 実空間遷移と負性微分抵抗 / p18 (0015.jp2)
- §1-5 本研究の目的と構成 / p23 (0017.jp2)
- §1-6 結言 / p24 (0018.jp2)
- 参考文献 / p25 (0018.jp2)
- 第2章 選択ドープした二重量子井戸構造の基本特性 / p28 (0020.jp2)
- §2-1 緒言 / p28 (0020.jp2)
- §2-2 二重量子井戸構造の基本特性 / p29 (0020.jp2)
- §2-3 平衡状態と電界印加時のホトルミネセンススペクトル / p32 (0022.jp2)
- §2-4 エネルギー差を求める方法 / p37 (0024.jp2)
- §2-5 電流-電圧特性及び電子移動度の電界依存性 / p42 (0027.jp2)
- §2-6 広い井戸と狭い井戸の電子移動度及び電子濃度 / p45 (0028.jp2)
- §2-7 結言 / p47 (0029.jp2)
- 参考文献 / p49 (0030.jp2)
- 第3章 二重量子井戸構造におけるホットエレクトロン / p50 (0031.jp2)
- §3-1 緒言 / p50 (0031.jp2)
- §3-2 試料構造 / p51 (0031.jp2)
- §3-3 電子速度の電界依存性 / p53 (0032.jp2)
- §3-4 電子温度の電界依存性 / p55 (0033.jp2)
- §3-5 電子のエネルギー損失率 / p62 (0037.jp2)
- §3-6 モデル計算による電子速度と電子温度のフィッティング / p65 (0038.jp2)
- §3-7 結言 / p66 (0039.jp2)
- 参考文献 / p68 (0040.jp2)
- 第4章 二重量子井戸構造を用いた移動度変調トランジスタ / p69 (0040.jp2)
- §4-1 緒言 / p69 (0040.jp2)
- §4-2 試料構造 / p71 (0041.jp2)
- §4-3 チャネルコンダクタンスの測定 / p73 (0042.jp2)
- §4-4 自己無撞着な計算による評価 / p79 (0045.jp2)
- §4-5 ホトルミネセンススペクトルによる評価 / p81 (0046.jp2)
- §4-6 結言 / p88 (0050.jp2)
- 参考文献 / p89 (0050.jp2)
- 第5章 二重量子井戸細線における電子散乱 / p90 (0051.jp2)
- §5-1 緒言 / p90 (0051.jp2)
- §5-2 細線作製方法 / p91 (0051.jp2)
- §5-3 ホトルミネセンス密度相関法による細線の光学的評価 / p95 (0053.jp2)
- §5-4 ホトルミネセンス密度相関法による少数キャリアのドリフト速度の測定 / p103 (0057.jp2)
- §5-5 結言 / p123 (0067.jp2)
- 参考文献 / p124 (0068.jp2)
- 第6章 総括 / p125 (0068.jp2)
- 謝辞 / p132 (0072.jp2)
- 本研究に関する発表 / p133 (0072.jp2)