超伝導体-半導体結合素子に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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超伝導体-半導体結合素子に関する研究
- 著者名
-
波頭, 経裕
- 著者別名
-
ハトウ, ツネヒロ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2612号
- 学位授与年月日
-
1992-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 超伝導エレクトロニクスの位置づけとその魅力 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の歴史的背景と目的 / p6 (0009.jp2)
- 1-3 本研究の概要 / p8 (0010.jp2)
- 2章 超伝導三端子素子とS-N-S接合 / p11 (0011.jp2)
- 2-1 序 / p11 (0011.jp2)
- 2-2 超伝導三端子素子の背景と歴史 / p11 (0011.jp2)
- 2-3 種々の超伝導三端子素子 / p15 (0013.jp2)
- 2-4 S-N-S接合 / p20 (0016.jp2)
- 2-5 結言 / p29 (0020.jp2)
- 3章 Siを用いたS-N-S接合 / p33 (0022.jp2)
- 3-1 序 / p33 (0022.jp2)
- 3-2 素子作製の条件の選定 / p33 (0022.jp2)
- 3-3 Si基板の特性 / p46 (0029.jp2)
- 3-4 FIBを用いたS-N-S接合の作製プロセス / p48 (0030.jp2)
- 3-5 測定 / p55 (0033.jp2)
- 3-6 結言 / p61 (0036.jp2)
- 4章 S-N-S接合に用いる半導体の検討 / p65 (0038.jp2)
- 4-1 序 / p65 (0038.jp2)
- 4-2 S-N-S接合に適した半導体の電気的特性 / p65 (0038.jp2)
- 4-3 結言 / p75 (0043.jp2)
- 5章 InSbの薄膜の作製 / p77 (0044.jp2)
- 5-1 序 / p77 (0044.jp2)
- 5-2 フラッシュ法 / p78 (0045.jp2)
- 5-3 薄膜成長条件の選定 / p81 (0046.jp2)
- 5-4 結言 / p97 (0054.jp2)
- 6章 InSbを用いたS-N-S接合 / p99 (0055.jp2)
- 6-1 序 / p99 (0055.jp2)
- 6-2 InSbの問題点と新しい素子作製法 / p99 (0055.jp2)
- 6-3 Ptを用いたS-N-S接合による接合部作製の検討 / p104 (0058.jp2)
- 6-4 InSbを用いた素子作製プロセス / p109 (0060.jp2)
- 6-5 特性の評価 / p117 (0064.jp2)
- 6-6 結言 / p132 (0072.jp2)
- 7章 総括 / p135 (0073.jp2)
- 謝辞 / (0076.jp2)
- 研究業績 / (0077.jp2)