水素化アモルファス炭化シリコン膜の構造と電気的特性
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
水素化アモルファス炭化シリコン膜の構造と電気的特性
- Author
-
田畑, 彰守
- Author(Another name)
-
タバタ, アキモリ
- University
-
名古屋大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第2640号
- Degree year
-
1992-03-25
Note and Description
博士論文
名古屋大学博士学位論文 学位の種類:工学博士 (課程) 学位授与年月日:平成4年3月25日
Table of Contents
- 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
- §1.1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- §1.2 アモルファスシリコンおよびその合金系の物性 / p3 (0008.jp2)
- §1.3 水素化アモルファス炭化シリコンの応用 / p5 (0010.jp2)
- §1.4 本研究の目的と構成 / p7 (0012.jp2)
- 参考文献 / p10 (0015.jp2)
- 第二章 試料作製 / p12 (0017.jp2)
- §2.1 プラズマCVD法 / p12 (0017.jp2)
- §2.2 膜堆積率､膜組成および光学ギャップ / p12 (0017.jp2)
- §2.3 まとめ / p17 (0022.jp2)
- 参考文献 / p18 (0023.jp2)
- 第三章 水素化アモルファス炭化シリコン膜のX線光電子分光(XPS) / p19 (0024.jp2)
- §3.1 はじめに / p19 (0024.jp2)
- §3.2 X線光電子分光(XPS)法 / p20 (0025.jp2)
- §3.3 実験方法 / p21 (0026.jp2)
- §3.4 炭素原子およびシリコン原子の結合状態 / p22 (0027.jp2)
- 3.4.1 a-Si:HのXPS / p23 (0028.jp2)
- 3.4.2 シリコン組成が大きい[化学式]のXPS / p23 (0028.jp2)
- 3.4.3 炭素組成が大きい[化学式]のXPS / p25 (0030.jp2)
- §3.5 希釈ガスの効果 / p28 (0033.jp2)
- §3.6 まとめ / p30 (0035.jp2)
- 参考文献 / p31 (0036.jp2)
- 第四章 水素化アモルファス炭化シリコン膜の交流電気伝導 / p32 (0037.jp2)
- §4.1 はじめに / p32 (0037.jp2)
- §4.2 交流電気伝導モデル / p32 (0037.jp2)
- 4.2.1 ベア近似 / p32 (0037.jp2)
- 4.2.2 Correlated Barrier Hoppingモデル / p34 (0039.jp2)
- 4.2.3 拡張ペア近似 / p37 (0042.jp2)
- 4.2.4 Trap-releaseモデル / p40 (0045.jp2)
- §4.3 実験方法 / p42 (0047.jp2)
- §4.4 実験結果および検討 / p43 (0048.jp2)
- 4.4.1 欠陥間のホッピング / p43 (0048.jp2)
- 4.4.2 界面緩和 / p51 (0056.jp2)
- §4.5 まとめ / p58 (0063.jp2)
- 参考文献 / p60 (0065.jp2)
- 第五章 水素化アモルファス炭化シリコン膜の熱刺激電流(TSC) / p63 (0068.jp2)
- §5.1 はじめに / p63 (0068.jp2)
- §5.2熱刺激電流法(TSC) / p63 (0068.jp2)
- §5.3 two-site hoppingモデル / p65 (0070.jp2)
- §5.4 実験方法 / p68 (0073.jp2)
- §5.5 実験結果および検討 / p68 (0073.jp2)
- §5.6 まとめ / p73 (0078.jp2)
- 参考文献 / p73 (0078.jp2)
- 第六章 総括 / p74 (0079.jp2)
- 謝辞 / (0084.jp2)
