半導体フォトリソグラフィにおける微細パターン形成に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
半導体フォトリソグラフィにおける微細パターン形成に関する研究
- Author
-
遠藤, 政孝
- Author(Another name)
-
エンドウ, マサユキ
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第5797号
- Degree year
-
1992-09-22
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1.本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2.本研究の目的 / p2 (0006.jp2)
- 1.3.本論文の構成 / p3 (0006.jp2)
- 第2章 フォトリソグラフィの現状と問題点 / p4 (0007.jp2)
- 2.1.はじめに / p4 (0007.jp2)
- 2.2.フォトリソグラフィの原理 / p4 (0007.jp2)
- 2.3.フォトリソグラフィの現状と将来 / p8 (0009.jp2)
- 2.4.第2章のまとめ / p10 (0010.jp2)
- 第3章 コントラスト･エンハンスト･リソグラフィ(CEL) / p11 (0010.jp2)
- 3.1.はじめに / p11 (0010.jp2)
- 3.2.CELの原理 / p11 (0010.jp2)
- 3.3.CELの研究動向 / p12 (0011.jp2)
- 3.4.g線用水溶性CEL材料を用いたリソグラフィ / p16 (0013.jp2)
- 3.5.i線用水溶性CEL材料を用いたリソグラフィ / p49 (0029.jp2)
- 3.6.シミュレーションによるCELの解析 / p79 (0044.jp2)
- 3.7.第3章のまとめ / p96 (0053.jp2)
- 第4章 高解像度レジストプロセス / p97 (0053.jp2)
- 4.1.はじめに / p97 (0053.jp2)
- 4.2.微細パターン形成技術の動向 / p97 (0053.jp2)
- 4.3.二重露光法(DEM) / p101 (0055.jp2)
- 4.4.二重露光法(DEM)によるレジスト断面形状の解析 / p121 (0065.jp2)
- 4.5.アルカリ表面処理法(HARD) / p140 (0075.jp2)
- 4.6.レジストパターンの遠紫外線処理技術 / p148 (0079.jp2)
- 4.7.第4章のまとめ / p160 (0085.jp2)
- 第5章 エキシマレーザ･リソグラフィ / p161 (0085.jp2)
- 5.1.はじめに / p161 (0085.jp2)
- 5.2.エキシマレーザ･リソグラフィの研究動向 / p162 (0086.jp2)
- 5.3.エキシマレーザ･ステッパの構築技術 / p167 (0088.jp2)
- 5.4.エキシマレーザによるレジスト評価 / p184 (0097.jp2)
- 5.5.エキシマレーザを用いたPCM法 / p204 (0107.jp2)
- 5.6.エキシマレーザを用いた多層レジスト法 / p211 (0110.jp2)
- 5.7.エキシマレーザ･リソグラフィヘのCELの応用 / p219 (0114.jp2)
- 5.8.エキシマレーザ･レジストの開発 / p231 (0120.jp2)
- 5.9.エキシマレーザ･リソグラフィとi線リソグラフィの比較 / p241 (0125.jp2)
- 5.10.第5章のまとめ / p247 (0128.jp2)
- 第6章 結論 / p248 (0129.jp2)
- 6.1.本研究の結論 / p248 (0129.jp2)
- 6.2.今後の展望 / p249 (0129.jp2)
- 謝辞 / p250 (0130.jp2)
- 参考文献 / p251 (0130.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p262 (0136.jp2)
- 本研究に関する学会発表 / p265 (0137.jp2)
- 本研究に関する参考発表論文 / p270 (0140.jp2)
