多結晶シリコン膜の電気特性と粒界トラップエネルギー分布に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
多結晶シリコン膜の電気特性と粒界トラップエネルギー分布に関する研究
- 著者名
-
山本, 一郎
- 著者別名
-
ヤマモト, イチロウ
- 学位授与大学
-
慶應義塾大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第1180号
- 学位授与年月日
-
1992-09-14
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / (0005.jp2)
- 記号の説明 / p1 (0008.jp2)
- 1 序論 / p1 (0012.jp2)
- 1.1 多結晶シリコン膜の特徴とデバイスへの応用 / p1 (0012.jp2)
- 1.2 多結晶シリコン膜の電気特性 / p3 (0014.jp2)
- 1.3 粒界トラップのエネルギー分布 / p5 (0016.jp2)
- 1.4 多結晶シリコンデバイスの電気特性 / p6 (0017.jp2)
- 1.5 本論文の目的と構成 / p6 (0017.jp2)
- 参考文献 / p9 (0020.jp2)
- 2 多結晶シリコン膜の電気特性 / p19 (0030.jp2)
- 2.1 多結晶シリコン膜の電気特性 / p19 (0030.jp2)
- 2.2 多結晶シリコン膜の伝導モデル / p20 (0031.jp2)
- 2.3 まとめ / p31 (0042.jp2)
- 参考文献 / p32 (0043.jp2)
- 図表 / p34 (0045.jp2)
- 3 粒界トラップエネルギー分布の決定 / p37 (0048.jp2)
- 3.1 はじめに / p37 (0048.jp2)
- 3.2 実験手順 / p39 (0050.jp2)
- 3.3 単一トラップ準位モデルの適用範囲 / p40 (0051.jp2)
- 3.4 粒界トラップエネルギー分布の決定法 / p44 (0055.jp2)
- 3.5 未水素化多結晶シリコン膜のエネルギー分布 / p48 (0059.jp2)
- 3.6 プラズマ水素化多結晶シリコン膜のエネルギー分布 / p50 (0061.jp2)
- 3.7 検討 / p51 (0062.jp2)
- 3.8 まとめ / p52 (0063.jp2)
- 参考文献 / p54 (0065.jp2)
- 図表 / p57 (0068.jp2)
- 4 粒界トラップエネルギー分布に対するアニールの効果 / p66 (0077.jp2)
- 4.1 はじめに / p66 (0077.jp2)
- 4.2 実験 / p67 (0078.jp2)
- 4.3 測定結果 / p68 (0079.jp2)
- 4.4 粒界トラップエネルギー分布 / p69 (0080.jp2)
- 4.5 トラップ面密度のアニール温度依存性 / p72 (0083.jp2)
- 4.6 まとめ / p74 (0085.jp2)
- 参考文献 / p75 (0086.jp2)
- 図表 / p77 (0088.jp2)
- 5 多結晶シリコンpnダイオードの電気特性と粒界トラップエネルギー分布 / p90 (0101.jp2)
- 5.1 はじめに / p90 (0101.jp2)
- 5.2 実験方法 / p92 (0103.jp2)
- 5.3 結果と検討 / p92 (0103.jp2)
- 5.4 まとめ / p100 (0111.jp2)
- 参考文献 / p101 (0112.jp2)
- 図表 / p105 (0116.jp2)
- 6 結論 / p115 (0126.jp2)
- 謝辞 / p118 (0129.jp2)
- A Poissonの式と境界条件の離散化 / p119 (0130.jp2)
- B ノンドープにおける電荷中性条件 / p122 (0133.jp2)
- C ピークにおけるリン濃度とトラップ面密度の和 / p124 (0135.jp2)
- 本研究に関する発表論文および口頭発表 / p126 (0137.jp2)