可視発光素子用InGaAlP混晶のp型ドーピング制御に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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可視発光素子用InGaAlP混晶のp型ドーピング制御に関する研究
- 著者名
-
西川, 幸江
- 著者別名
-
ニシカワ, ユキエ
- 学位授与大学
-
慶應義塾大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第2523号
- 学位授与年月日
-
1992-09-14
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 第1章の参考文献 / p15 (0012.jp2)
- 第2章 MOCVD法によるInGaAlPの結晶成長 / p17 (0013.jp2)
- 2.1 はじめに / p17 (0013.jp2)
- 2.2 MOCVD法の原理と特徴 / p18 (0014.jp2)
- 2.3 InGaAlPの成長 / p21 (0015.jp2)
- 2.4 まとめ / p30 (0020.jp2)
- 第2章の参考文献 / p31 (0020.jp2)
- 第3章 InGaAlPのMgドーピング特性 / p33 (0021.jp2)
- 3.1 はじめに / p33 (0021.jp2)
- 3.2 実験方法 / p34 (0022.jp2)
- 3.3 Mg原料供給開始時のドーピング遅れ / p35 (0022.jp2)
- 3.4 定常状態におけるMgドーピング特性 / p47 (0028.jp2)
- 3.5 まとめ / p54 (0032.jp2)
- 第3章の参考文献 / p56 (0033.jp2)
- 第4章 InGaAlPのZnドーピング特性 / p57 (0033.jp2)
- 4.1 はじめに / p57 (0033.jp2)
- 4.2 実験方法 / p59 (0034.jp2)
- 4.3 Znの取り込まれ率と活性化率の成長条件依存性 / p61 (0035.jp2)
- 4.4 Znの活性化率に与える残留不純物の影響 / p77 (0043.jp2)
- 4.5 まとめ / p86 (0048.jp2)
- 第4章の参考文献 / p88 (0049.jp2)
- 第5章 Inの取り込まれに及ぼすZnドーピングの影響 / p91 (0050.jp2)
- 5.1 はじめに / p91 (0050.jp2)
- 5.2 実験方法 / p92 (0051.jp2)
- 5.3 ZnドーピングによるInGaAlPの格子定数の変化 / p94 (0052.jp2)
- 5.4 III族元素の取り込まれに対する検討 / p104 (0057.jp2)
- 5.5 まとめ / p110 (0060.jp2)
- 第5章の参考文献 / p111 (0060.jp2)
- 第6章 InGaAlP可視光半導体レーザの特性に与えるp型ドーピングの影響 / p112 (0061.jp2)
- 6.1 はじめに / p112 (0061.jp2)
- 6.2 レーザの試作 / p113 (0061.jp2)
- 6.3 まとめ / p116 (0063.jp2)
- 第6章の参考文献 / p121 (0065.jp2)
- 第7章 結論 / p122 (0066.jp2)
- 謝辞 / p125 (0067.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p126 (0068.jp2)