真空紫外レーザーによるレーザープロセシングに関する基礎研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
真空紫外レーザーによるレーザープロセシングに関する基礎研究
- 著者名
-
大向, 雅人
- 著者別名
-
オオムカイ, マサト
- 学位授与大学
-
大阪府立大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第331号
- 学位授与年月日
-
1993-03-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 レーザープロセシングの背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 レーザーの発明と進歩 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 レーザーの応用 / p3 (0006.jp2)
- 1-3 真空紫外レーザーによるレーザープロセシング / p4 (0007.jp2)
- 参考文献 / p6 (0008.jp2)
- 第2章 希ガスエキシマレーザー装置 / p8 (0009.jp2)
- 2-1 エキシマレーザー / p8 (0009.jp2)
- 2-2 希ガスエキシマレーザー装置用電子ビーム装置 / p9 (0009.jp2)
- 2-3 光共振器 / p12 (0011.jp2)
- 2-4 希ガスエキシマレーザーの特性 / p14 (0012.jp2)
- 参考文献 / p17 (0013.jp2)
- 第3章 光電子分光法とラマン分光法 / p18 (0014.jp2)
- 3-1 光電子分光法 / p18 (0014.jp2)
- 3-2 ラマン分光法 / p23 (0016.jp2)
- 参考文献 / p34 (0022.jp2)
- 第4章 SiCの真空紫外レーザー照射効果 / p36 (0023.jp2)
- 4-1 SiCの材料特性 / p36 (0023.jp2)
- 4-2 グラファイト基板上のSiC / p37 (0023.jp2)
- 4-3 SiC焼結体基板上の多結晶SiC / p44 (0027.jp2)
- 4-4 検討 / p57 (0033.jp2)
- 4-5 まとめ / p62 (0036.jp2)
- 参考文献 / p63 (0036.jp2)
- 第5章 シリコン窒化膜の真空紫外レーザー照射効果 / p65 (0037.jp2)
- 5-1 Si₃N₄の材料特性 / p65 (0037.jp2)
- 5-2 Si₃N₄の作製とレーザー照射 / p66 (0038.jp2)
- 5-3 アルゴン工キシマレーザー照射 / p67 (0038.jp2)
- 5-4 クリプトンエキシマレーザー照射 / p77 (0043.jp2)
- 5-5 検討 / p83 (0046.jp2)
- 参考文献 / p88 (0049.jp2)
- 第6章 結論 / p89 (0049.jp2)
- 謝辞 / p93 (0051.jp2)