低エネルギー集束イオンビームによるGaAsのドライエッチング過程と照射損傷に関する研究

Access this Article

博士論文

目次 / p3 (0005.jp2)
第1章序論 / p1 (0006.jp2)
1-1 集束イオンビームプロセスの動向と問題点 / p1 (0006.jp2)
1-2 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
1-3 論文の構成 / p5 (0008.jp2)
参考文献 / p7 (0009.jp2)
第2章低エネルギー集束イオンビーム装置 / p8 (0009.jp2)
2-1 緒言 / p8 (0009.jp2)
2-2 減速レンズの収差特性 / p9 (0010.jp2)
2-3 空間電荷効果 / p18 (0014.jp2)
2-4 結言 / p22 (0016.jp2)
参考文献 / p23 (0017.jp2)
第3章 GaAsのイオンビーム支援エッチング / p24 (0017.jp2)
3-1 緒言 / p24 (0017.jp2)
3-2 反応速度論によるエッチングモデル / p26 (0018.jp2)
3-3 定常状態での支援エッチング / p38 (0024.jp2)
3-4 パルスビーム効果 / p43 (0027.jp2)
3-5 加工表面の評価 / p46 (0028.jp2)
3-6 結言 / p53 (0032.jp2)
参考文献 / p55 (0033.jp2)
第4章 GaAsの真空リソグラフィー技術 / p59 (0035.jp2)
4-1 緒言 / p59 (0035.jp2)
4-2 ガスエッチング / p60 (0035.jp2)
4-3 加工表面の評価 / p65 (0038.jp2)
4-4 結言 / p67 (0039.jp2)
参考文献 / p68 (0039.jp2)
第5章 GaAsの照射損傷の評価 / p69 (0040.jp2)
5-1 緒言 / p69 (0040.jp2)
5-2 接合容量法による深い準位の測定 / p70 (0040.jp2)
5-3 Gaイオン照射誘起欠陥 / p80 (0045.jp2)
5-4 Arイオン照射誘起欠陥 / p102 (0056.jp2)
5-5 結言 / p106 (0058.jp2)
参考文献 / p107 (0059.jp2)
第6章結論 / p109 (0060.jp2)
業績目録 / p111 (0061.jp2)
謝辞 / p115 (0063.jp2)

5access