プロセス用ECRプラズマの特性とその応用に関する研究 プロセスヨウ ECR プラズマ ノ トクセイ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
-
プロセス用ECRプラズマの特性とその応用に関する研究
- タイトル別名
-
プロセスヨウ ECR プラズマ ノ トクセイ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者名
-
白井, 光雲
- 著者別名
-
シライ, コウウン
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第5867号
- 学位授与年月日
-
1992-12-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
- §1.1 プラズマプロセスの歴史的発展とその意義 / p1 (0005.jp2)
- §1.2 ECRプラズマプロセス / p3 (0006.jp2)
- §1.3 プラズマプロセスの研究の現状 / p4 (0007.jp2)
- §1.4 本研究における問題のとらえ方 / p7 (0008.jp2)
- §1.5 本研究の目的及び構成 / p9 (0009.jp2)
- 第二章 プラズマパラメータとプラズマ炉に対する予備的考察 / p12 (0011.jp2)
- §2.1 プラズマ中の荷電粒子のエネルギー分布 / p12 (0011.jp2)
- §2.2 プラズマ電位と電子温度 / p12 (0011.jp2)
- §2.3 プラズマ反応炉のタイプによる分類 / p15 (0012.jp2)
- 第三章 実験装置と方法 / p19 (0014.jp2)
- §3.1 ECRプラズマ装置 / p19 (0014.jp2)
- §3.1.1 マイクロ波領域における放電 / p19 (0014.jp2)
- §3.1.2 プロセス用ECRプラズマ装置の磁場の役割 / p23 (0016.jp2)
- §3.1.3 装置の詳細と堆積の手順 / p26 (0018.jp2)
- §3.2 プローブによるプラズマ診断 / p27 (0018.jp2)
- §3.2.1 プローブの作製 / p27 (0018.jp2)
- §3.2.2 プローブによる測定 / p28 (0019.jp2)
- §3.3 薄膜の堆積､及び堆積膜の評価 / p28 (0019.jp2)
- §3.4 装置と動作条件のまとめ / p29 (0019.jp2)
- 第四章 プラズマ特性 / p30 (0020.jp2)
- §4.1 プローブ特性の解析 / p30 (0020.jp2)
- §4.1.1 プローブによるプラズマパラメータの測定 / p30 (0020.jp2)
- §4.1.2 プローブ特性の検討(磁場の影響を中心に) / p36 (0023.jp2)
- §4.1.3 プローブ特性のまとめ / p41 (0025.jp2)
- §4.2 プローブによるプラズマ診断の結果 / p41 (0025.jp2)
- §4.2.1 プラズマパラメータの動作条件依存性 / p41 (0025.jp2)
- §4.2.2 プラズマに関係した特性長及び特性時間 / p46 (0028.jp2)
- §4.2.3 プローブ測定結果のまとめ / p48 (0029.jp2)
- §4.3 電子温度 / p48 (0029.jp2)
- §4.3.1 電子温度のガス圧力依存性 / p48 (0029.jp2)
- §4.3.2 発散磁場の電子温度に対する影響 / p53 (0031.jp2)
- §4.3.3 他のECRプラズマにおける電子温度との比較 / p55 (0032.jp2)
- §4.3.4 電子温度のまとめ / p60 (0035.jp2)
- §4.4 プラズマ電位 / p61 (0035.jp2)
- §4.4.1 プラズマ電位と電子温度 / p61 (0035.jp2)
- §4.4.2 プラズマ電位の意義 / p64 (0037.jp2)
- §4.4.3 プラズマ電位のまとめ / p65 (0037.jp2)
- §4.4 第四章のまとめ / p66 (0038.jp2)
- 第五章 プラズマ中のイオンエネルギーの制御 / p67 (0038.jp2)
- §5.1 基板バイアス実験 / p68 (0039.jp2)
- §5.1.1 基板バイアスの配置及び実験手順 / p68 (0039.jp2)
- §5.1.2 基板バイアスの基礎理論 / p70 (0040.jp2)
- §5.2 基板バイアスのプラズマに対する影響 / p73 (0041.jp2)
- §5.2.1 実験結果 / p73 (0041.jp2)
- §5.2.2 プラズマ電位に関する考察 / p75 (0042.jp2)
- §5.2.3 プラズマ電位に関するまとめ / p79 (0044.jp2)
- §5.3 基板バイアスの薄膜堆積過程に対する影響 / p79 (0044.jp2)
- §5.3.1 実験結果 / p79 (0044.jp2)
- §5.3.2 プラズマ堆積の支配種 / p81 (0045.jp2)
- §5.3.3 イオンの間接的寄与 / p86 (0048.jp2)
- §5.3.4 他の提案されている荷電粒子の役割 / p89 (0049.jp2)
- §5.3.5 正バイアスの効果について / p92 (0051.jp2)
- §5.3.6 堆積過程への影響のまとめ / p95 (0052.jp2)
- §5.4 第五章のまとめ / p96 (0053.jp2)
- 第六章 ECRプラズマ堆積の気体輸送論 / p97 (0053.jp2)
- §6.1 ラジカルによる表面反応の特徴 / p97 (0053.jp2)
- §6.2 低圧動作の効果 / p101 (0055.jp2)
- §6.3 第六章のまとめ / p104 (0057.jp2)
- 第七章 ECRプラズマのアモルファス半導体薄膜作製への応用 / p106 (0058.jp2)
- §7.1 膜組成の柔軟性と格子振動 / p108 (0059.jp2)
- §7.2 イオン衝撃の効果 / p111 (0060.jp2)
- §7.3 水素の取り込みとその効果 / p114 (0062.jp2)
- §7.4 第七章のまとめ / p118 (0064.jp2)
- 第八章 結論 / p120 (0065.jp2)
- 謝辞 / p122 (0066.jp2)
- 参考文献 / p124 (0067.jp2)
- 業績 / p138 (0074.jp2)
