走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価の研究
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Bibliographic Information
- Title
-
走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価の研究
- Author
-
谷本, 正文
- Author(Another name)
-
タニモト, マサフミ
- University
-
慶應義塾大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第2556号
- Degree year
-
1993-01-20
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / p1 (0007.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
- 1.1 半導体表面微小領域評価技術の置かれた位置 / p1 (0009.jp2)
- 1.2 走査型トンネル顕微鏡の研究経過 / p2 (0010.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p4 (0011.jp2)
- 第2章 走査型トンネル顕微鏡 / p6 (0012.jp2)
- 2.1 はじめに / p6 (0012.jp2)
- 2.2 STMの基本原理 / p6 (0012.jp2)
- 2.3 STM装置の概要および技術的問題点 / p12 (0015.jp2)
- 2.4 半導体デバイス･プロセス評価への応用における課題とその解決策 / p20 (0019.jp2)
- 2.5 まとめ / p32 (0025.jp2)
- 第3章 半導体表面の大気中STM観察 / p36 (0027.jp2)
- 3.1 はじめに / p36 (0027.jp2)
- 3.2 実験方法 / p37 (0028.jp2)
- 3.3 実験結果 / p39 (0029.jp2)
- 3.4 まとめ / p59 (0039.jp2)
- 第4章 トンネルスペクトロスコピー法によるデバイス評価 / p63 (0041.jp2)
- 4.1 はじめに / p63 (0041.jp2)
- 4.2 TS/CITS装置 / p64 (0042.jp2)
- 4.3 InGaAsP/InPダブルヘテロ構造の観察 / p71 (0045.jp2)
- 4.4 極薄SiO₂/Si構造の評価 / p78 (0049.jp2)
- 4.5 まとめ / p92 (0056.jp2)
- 第5章 不純物濃度分布測定 / p96 (0058.jp2)
- 5.1 まえがき / p96 (0058.jp2)
- 5.2 InP中の不純物濃度分布測定 / p97 (0059.jp2)
- 5.3 Si中の不純物濃度分布測定 / p103 (0062.jp2)
- 5.4 まとめ / p127 (0074.jp2)
- 第6章 pn接合容量の2次元解析 / p131 (0076.jp2)
- 6.1 はじめに / p131 (0076.jp2)
- 6.2 STMを用いた不純物濃度分布測定法 / p132 (0077.jp2)
- 6.3 測定および解析方法 / p132 (0077.jp2)
- 6.4 結果 / p134 (0078.jp2)
- 6.5 回路特性評価への応用 / p139 (0080.jp2)
- 6.6 まとめ / p141 (0081.jp2)
- 第7章 MBE成長したGaAs(001)表面のSTM観察 / p144 (0083.jp2)
- 7.1 はじめに / p144 (0083.jp2)
- 7.2 MBE-S(R)EM/STM複合装置 / p145 (0084.jp2)
- 7.3 試料作成とSTM観察 / p148 (0085.jp2)
- 7.4 測定結果と考察 / p154 (0088.jp2)
- 7.5 まとめ / p160 (0091.jp2)
- 第8章 結論 / p164 (0093.jp2)
- 謝辞 / p168 (0095.jp2)
- 本研究に関する発表論文および口頭発表 / p169 (0096.jp2)
