Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究
- 著者名
-
鳥居, 泰伸
- 著者別名
-
トリイ, ヤスノブ
- 学位授与大学
-
豊橋技術科学大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第75号
- 学位授与年月日
-
1993-03-23
注記・抄録
博士論文
目次
- 和文要旨 / (0003.jp2)
- 目次 / (0008.jp2)
- 1 序論 / p1 (0012.jp2)
- 2 試料作製 / p9 (0020.jp2)
- 2.1 InP MIS構造 / p9 (0020.jp2)
- 2.2 InSb MIS構造 / p15 (0026.jp2)
- 2.3 GaAs MIS構造 / p18 (0029.jp2)
- 3 InP MIS界面の特性 / p22 (0033.jp2)
- 3.1 はじめに / p22 (0033.jp2)
- 3.2 InPxOy-InP界面の特性 / p23 (0034.jp2)
- 3.3 AlInxPyOz-InP界面の特性 / p45 (0056.jp2)
- 3.4 まとめ / p61 (0072.jp2)
- 4 InSb MIS界面の特性 / p63 (0074.jp2)
- 4.1 はじめに / p63 (0074.jp2)
- 4.2 SiInxPyOz-InSb界面の特性 / p64 (0075.jp2)
- 4.3 まとめ / p80 (0091.jp2)
- 5 GaAs MIS界面の特性 / p81 (0092.jp2)
- 5.1 はじめに / p81 (0092.jp2)
- 5.2 SiOw/GaAsxPyOz-GaAs界面の特性 / p82 (0093.jp2)
- 5.3 まとめ / p100 (0111.jp2)
- 6 結論 / p102 (0113.jp2)
- 謝辞 / p106 (0117.jp2)
- 参考文献 / p107 (0118.jp2)
- 付録 界面準位アドミタンスの測定用フィルタ / p110 (0121.jp2)
