マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の開発とIn吸着Si(111)表面の研究
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Bibliographic Information
- Title
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マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の開発とIn吸着Si(111)表面の研究
- Author
-
中村, 夏雄
- Author(Another name)
-
ナカムラ, ナツオ
- University
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東北大学
- Types of degree
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博士 (理学)
- Grant ID
-
甲第4699号
- Degree year
-
1993-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の必要性 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 In吸着Si(111)表面の概略 / p8 (0012.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p15 (0019.jp2)
- 第2章 オージェ電子回折法による表面構造解析 / p16 (0020.jp2)
- 2.1 オージェ電子回折の概要 / p16 (0020.jp2)
- 2.2 理論的解析方法 / p17 (0021.jp2)
- 第3章 装置の開発 / p28 (0032.jp2)
- 3.1 装置概略と開発の基本方釧 / p28 (0032.jp2)
- 3.2 装置開発の詳細 / p29 (0033.jp2)
- 3.3 装置の性能評価 / p49 (0053.jp2)
- 3.4 装置開発のまとめ / p56 (0060.jp2)
- 第4章 μ-AEDによるSi(111)4×1-In表面の構造解析 / p57 (0061.jp2)
- 4.1 実験 / p57 (0061.jp2)
- 4.2 構造解析 / p68 (0072.jp2)
- 4.3 考察 / p74 (0078.jp2)
- 4.4 まとめ / p75 (0079.jp2)
- 第5章 GB-MEEDによるSi(111)[数式]×[数式]-In表面の構造解析 / p77 (0081.jp2)
- 5.1 GB-MEED法 / p77 (0081.jp2)
- 5.2 実験及び解析 / p86 (0090.jp2)
- 5.3 まとめ / p101 (0105.jp2)
- 第6章 本研究の総括 / p103 (0107.jp2)
- 謝辞 / p105 (0109.jp2)
- 引用文献 / p106 (0110.jp2)
- 参考論文 / (0114.jp2)