GaAlAs半導体レーザの高出力化と多ビーム化に関する研究

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Author

    • 山口, 隆夫 ヤマグチ, タカオ

Bibliographic Information

Title

GaAlAs半導体レーザの高出力化と多ビーム化に関する研究

Author

山口, 隆夫

Author(Another name)

ヤマグチ, タカオ

University

東北大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

乙第5931号

Degree year

1993-01-13

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 まえがき / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の歴史的背景と意義 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成と概要 / p15 (0014.jp2)
  6. 1.4 まとめ / p16 (0015.jp2)
  7. 参考文献 / p17 (0015.jp2)
  8. 第2章 液相エピタキシャル成長法のGaAlAs半導体レーザヘの展開と基板加工基礎技術 / p21 (0017.jp2)
  9. 2.1 まえがき / p21 (0017.jp2)
  10. 2.2 液相エピタキシャル成長法のGaAlAs半導体レーザヘの適用 / p22 (0018.jp2)
  11. 2.3 GaAs基板加工技術のデバイスへの適用 / p30 (0022.jp2)
  12. 2.4 BCP(Buried-Cap Planar Stripe)GaAlAs半導体レーザ / p35 (0024.jp2)
  13. 2.5 まとめ / p48 (0031.jp2)
  14. 参考文献 / p50 (0032.jp2)
  15. 第3章 GaAlAs半導体レーザの高出力化 / p51 (0032.jp2)
  16. 3.1 まえがき / p51 (0032.jp2)
  17. 3.2 光出力の限界を決める要因と高出力化の方法 / p52 (0033.jp2)
  18. 3.3 高出力レーザのためのストライプ構造と横モードの安定化 / p54 (0034.jp2)
  19. 3.4 高出力レーザのための端面反射膜構造と反射率の最適化 / p62 (0038.jp2)
  20. 3.5 共振器長などの熱的条件の最適化 / p70 (0042.jp2)
  21. 3.6 端面近傍に電流非注入領域を有する高出力レーザ / p76 (0045.jp2)
  22. 3.7 まとめ / p94 (0054.jp2)
  23. 参考文献 / p96 (0055.jp2)
  24. 第4章 GaAlAs半導体レーザの多ビーム化 / p99 (0056.jp2)
  25. 4.1 まえがき / p99 (0056.jp2)
  26. 4.2 3ビーム半導体レーザ / p100 (0057.jp2)
  27. 4.3 4ビーム半導体レーザヘの展開と高出力化 / p114 (0064.jp2)
  28. 4.4 端面電流非注入領域を有する高出力4ビーム半導体レーザ / p130 (0072.jp2)
  29. 4.5 ビーム数の増大とビーム間隔短縮 / p140 (0077.jp2)
  30. 4.6 まとめ / p148 (0081.jp2)
  31. 参考文献 / p150 (0082.jp2)
  32. 第5章 マルチビーム半導体レーザの動作解析 / p151 (0082.jp2)
  33. 5.1 まえがき / p151 (0082.jp2)
  34. 5.2 解析解法による3ビーム半導体レーザの熱解析 / p154 (0084.jp2)
  35. 5.3 差分法による4ビームレーザの熱解析 / p162 (0088.jp2)
  36. 5.4 有限要素法による8ビームレーザの熱解析 / p177 (0095.jp2)
  37. 5.5 各種解析手法の比較検討 / p188 (0101.jp2)
  38. 5.6 まとめ / p190 (0102.jp2)
  39. 参考文献 / p192 (0103.jp2)
  40. 第6章 結論 / p193 (0103.jp2)
  41. 謝辞 / p199 (0106.jp2)
  42. 著者発表論文 / p200 (0107.jp2)
  43. 本研究に関する研究会発表 / p202 (0108.jp2)
  44. 本研究に関する学会講演(国内学会,国際学会) / p203 (0108.jp2)
  45. 著者特許・実用新案 / p206 (0110.jp2)
3access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000095463
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000095689
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000259777
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections
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