GaAlAs半導体レーザの高出力化と多ビーム化に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
GaAlAs半導体レーザの高出力化と多ビーム化に関する研究
- Author
-
山口, 隆夫
- Author(Another name)
-
ヤマグチ, タカオ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第5931号
- Degree year
-
1993-01-13
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 まえがき / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の歴史的背景と意義 / p1 (0007.jp2)
- 1.3 本論文の構成と概要 / p15 (0014.jp2)
- 1.4 まとめ / p16 (0015.jp2)
- 参考文献 / p17 (0015.jp2)
- 第2章 液相エピタキシャル成長法のGaAlAs半導体レーザヘの展開と基板加工基礎技術 / p21 (0017.jp2)
- 2.1 まえがき / p21 (0017.jp2)
- 2.2 液相エピタキシャル成長法のGaAlAs半導体レーザヘの適用 / p22 (0018.jp2)
- 2.3 GaAs基板加工技術のデバイスへの適用 / p30 (0022.jp2)
- 2.4 BCP(Buried-Cap Planar Stripe)GaAlAs半導体レーザ / p35 (0024.jp2)
- 2.5 まとめ / p48 (0031.jp2)
- 参考文献 / p50 (0032.jp2)
- 第3章 GaAlAs半導体レーザの高出力化 / p51 (0032.jp2)
- 3.1 まえがき / p51 (0032.jp2)
- 3.2 光出力の限界を決める要因と高出力化の方法 / p52 (0033.jp2)
- 3.3 高出力レーザのためのストライプ構造と横モードの安定化 / p54 (0034.jp2)
- 3.4 高出力レーザのための端面反射膜構造と反射率の最適化 / p62 (0038.jp2)
- 3.5 共振器長などの熱的条件の最適化 / p70 (0042.jp2)
- 3.6 端面近傍に電流非注入領域を有する高出力レーザ / p76 (0045.jp2)
- 3.7 まとめ / p94 (0054.jp2)
- 参考文献 / p96 (0055.jp2)
- 第4章 GaAlAs半導体レーザの多ビーム化 / p99 (0056.jp2)
- 4.1 まえがき / p99 (0056.jp2)
- 4.2 3ビーム半導体レーザ / p100 (0057.jp2)
- 4.3 4ビーム半導体レーザヘの展開と高出力化 / p114 (0064.jp2)
- 4.4 端面電流非注入領域を有する高出力4ビーム半導体レーザ / p130 (0072.jp2)
- 4.5 ビーム数の増大とビーム間隔短縮 / p140 (0077.jp2)
- 4.6 まとめ / p148 (0081.jp2)
- 参考文献 / p150 (0082.jp2)
- 第5章 マルチビーム半導体レーザの動作解析 / p151 (0082.jp2)
- 5.1 まえがき / p151 (0082.jp2)
- 5.2 解析解法による3ビーム半導体レーザの熱解析 / p154 (0084.jp2)
- 5.3 差分法による4ビームレーザの熱解析 / p162 (0088.jp2)
- 5.4 有限要素法による8ビームレーザの熱解析 / p177 (0095.jp2)
- 5.5 各種解析手法の比較検討 / p188 (0101.jp2)
- 5.6 まとめ / p190 (0102.jp2)
- 参考文献 / p192 (0103.jp2)
- 第6章 結論 / p193 (0103.jp2)
- 謝辞 / p199 (0106.jp2)
- 著者発表論文 / p200 (0107.jp2)
- 本研究に関する研究会発表 / p202 (0108.jp2)
- 本研究に関する学会講演(国内学会,国際学会) / p203 (0108.jp2)
- 著者特許・実用新案 / p206 (0110.jp2)