ホットエレクトロン注入型薄膜EL素子の研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
ホットエレクトロン注入型薄膜EL素子の研究
- Author
-
周, 桂喜
- Author(Another name)
-
ショウ, コイシー
- University
-
静岡大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第84号
- Degree year
-
1993-03-24
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p5 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 薄膜EL素子の研究 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 ホットエレクトロン注入型EL素子の研究 / p4 (0009.jp2)
- 1.3 本研究の目的及び本論文の構成 / p6 (0010.jp2)
- 参考文献 / p9 (0011.jp2)
- 第2章 Si-SiO₂構造におけるホットエレクトロンの注入 / p13 (0013.jp2)
- 2.1 まえがき / p13 (0013.jp2)
- 2.2 p型Siにおける電子の生成 / p13 (0013.jp2)
- 2.3 SiO₂への電子の注入 / p16 (0015.jp2)
- 2.4 印加電圧への考察 / p20 (0017.jp2)
- 2.5 まとめ / p21 (0017.jp2)
- 参考文献 / p24 (0019.jp2)
- 第3章 SiO₂膜中におけるホットエレクトロンの輸送機構 / p26 (0020.jp2)
- 3.1 まえがき / p26 (0020.jp2)
- 3.2 実験 / p27 (0020.jp2)
- 3.3 実験結果及び考察 / p31 (0022.jp2)
- 3.4 Alの陽極酸化 / p42 (0028.jp2)
- 3.5 まとめ / p48 (0031.jp2)
- 参考文献 / p49 (0031.jp2)
- 第4章 ホットエレクトロン注入型EL素子 / p51 (0032.jp2)
- 4.1 まえがき / p51 (0032.jp2)
- 4.2 HEI-EL及び二重絶縁構造薄膜EL素子 / p51 (0032.jp2)
- 4.3 実験方法及び測定方法 / p55 (0034.jp2)
- 4.4 実験結果及び考察 / p65 (0039.jp2)
- 4.5 討論 / p70 (0042.jp2)
- 4.6 まとめ / p76 (0045.jp2)
- 参考文献 / p78 (0046.jp2)
- 第5章 改良型HEI-EL素子 / p80 (0047.jp2)
- 5.1 まえがき / p80 (0047.jp2)
- 5.2 HEI-EL素子の改良I / p80 (0047.jp2)
- 5.3 HEI-EL素子の改良II / p85 (0049.jp2)
- 5.4 まとめ / p92 (0053.jp2)
- 参考文献 / p94 (0054.jp2)
- 第6章 結論 / p95 (0054.jp2)
- 謝辞 / p99 (0056.jp2)
- 本研究に関する発表論文リスト / p100 (0057.jp2)
