マイクロ波プラズマを用いた化学気相堆積法に関する研究 maikuroha purazuma o mochiita kagaku kiso taisekiho ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
-
マイクロ波プラズマを用いた化学気相堆積法に関する研究
- Other Title
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maikuroha purazuma o mochiita kagaku kiso taisekiho ni kansuru kenkyu
- Author
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加藤, 聖隆
- Author(Another name)
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カトウ, キヨタカ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第953号
- Degree year
-
1993-03-04
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲953号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-03-04 ; 早大学位記番号:新1899 ; 理工学図書館請求番号:1626
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 プラズマ化学気相堆積法に関する研究の経緯 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の目的と構成 / p4 (0008.jp2)
- 第2章 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD / p8 (0012.jp2)
- 2.1 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置 / p8 (0012.jp2)
- 2.2 堆積室内のプラズマパラメータの空間分布 / p15 (0019.jp2)
- 2.3 空間的アフターグロープラズマ中でのa-Si:H膜の作製 / p16 (0020.jp2)
- 2.4 まとめ / p20 (0024.jp2)
- 第3章 DCバイアスを印加した水素化アモルファスシリコン膜の作製 / p24 (0028.jp2)
- 3.1 DCバイアスによるイオン衝撃の制御 / p24 (0028.jp2)
- 3.2 水素化アモルファスシリコン膜のDCバイアス依存性 / p31 (0035.jp2)
- 3.3 まとめ / p36 (0040.jp2)
- 第4章 基板加熱をした水素化アモルファスシリコン膜の作製 / p38 (0042.jp2)
- 4.1 水素化アモルファスシリコン膜の基板温度依存性 / p38 (0042.jp2)
- 4.2 イオン衝撃の化学的効果の検討 / p43 (0047.jp2)
- 4.3 まとめ / p52 (0056.jp2)
- 第5章 空間的アフターグロープラズマ中での窒化シリコン膜の作製 / p54 (0058.jp2)
- 5.1 RFバイアスによるイオン衝撃の制御 / p54 (0058.jp2)
- 5.2 RFバイアスを印加した窒化シリコン膜の作製 / p56 (0060.jp2)
- 5.3 基板加熱をした窒化シリコン膜の作製 / p63 (0067.jp2)
- 5.4 イオン衝撃の効果と基板加熱の効果を併用した窒化シリコン膜の作製 / p65 (0069.jp2)
- 5.5 まとめ / p71 (0075.jp2)
- 第6章 横方向電子サイクロトロン共鳴磁界マイクロ波プラズマCVD / p73 (0077.jp2)
- 6.1 横方向電子サイクロトロン共鳴磁界マイクロ波プラズマCVD装置 / p73 (0077.jp2)
- 6.2 ECRプラズマ内外での水素化アモルファスシリコンの作製 / p76 (0080.jp2)
- 6.3 ECRプラズマ内外での窒化シリコンの作製 / p80 (0084.jp2)
- 6.4 まとめ / p88 (0092.jp2)
- 第7章 結論 / p91 (0095.jp2)
- APPENDIX / p95 (0099.jp2)
- 謝辞 / p100 (0104.jp2)
- 研究業績 / p101 (0105.jp2)
