超LSI用ポジ型ホトレジストの高解像化およびその機構解析 cho eruesuaiyo pojigata hotorejisuto no kokaizoka oyobi sono kiko kaiseki
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Bibliographic Information
- Title
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超LSI用ポジ型ホトレジストの高解像化およびその機構解析
- Other Title
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cho eruesuaiyo pojigata hotorejisuto no kokaizoka oyobi sono kiko kaiseki
- Author
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浅海, 慎五
- Author(Another name)
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アサウミ, シンゴ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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乙第898号
- Degree year
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1992-10-22
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙898号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-10-22 ; 早大学位記番号:新1832 ; 理工学図書館請求番号:1577
Table of Contents
- 目次 / p7 (0009.jp2)
- 用語の説明 / p1 (0003.jp2)
- 目次 / p7 (0009.jp2)
- 第1章 本研究の目的 / p11 (0013.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p11 (0013.jp2)
- 1.2 IC製造におけるレジストの役割および求められる特性 / p12 (0014.jp2)
- 1.3 ホトレジストの歴史 / p17 (0019.jp2)
- 1.4 ノボラックポジ型ホトレジストの化学的および光学的性質 / p23 (0025.jp2)
- 1.5 露光における光学的特性 / p29 (0031.jp2)
- 1.6 本論文の目的および構成 / p36 (0038.jp2)
- 1.7 参考文献 / p37 (0039.jp2)
- 第2章 ポジ型ホトレジストの高解像化 / p39 (0041.jp2)
- 2.1 ノボラック樹脂の分子量および感光剤量による高解像化 / p39 (0041.jp2)
- 2.2 クレゾールノボラック樹脂組成による高解像化 / p53 (0055.jp2)
- 第3章 ポジ型ホトレジストの高解像化機構の解析 / p66 (0068.jp2)
- 3.1 露光前現像液処理によるパターンプロフィル改善機構の解析 / p66 (0068.jp2)
- 3.2 高解像度化プロセスプリベークホトレジスト処理の表面層の変化の解析 / p90 (0092.jp2)
- 3.3 ポジ型ホトレジスト露光部の現像プロセスの解析 / p95 (0097.jp2)
- 第4章 総括 / p114 (0116.jp2)
- 略歴 / p117 (0119.jp2)
- 研究実績 / p118 (0120.jp2)
- 謝辞 / p126 (0128.jp2)
