急速熱酸化技術を用いる極薄酸化膜形成に関する研究 kyusoku netsu sanka gijutsu o mochiiru gokusu sankamaku keisei ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
-
急速熱酸化技術を用いる極薄酸化膜形成に関する研究
- Other Title
-
kyusoku netsu sanka gijutsu o mochiiru gokusu sankamaku keisei ni kansuru kenkyu
- Author
-
福田, 永
- Author(Another name)
-
フクダ, ヒサシ
- University
-
早稲田大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第961号
- Degree year
-
1993-03-04
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙961号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-03-04 ; 早大学位記番号:新1935 ; 理工学図書館請求番号:1652
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 MOSLSIの超高集積化における極薄ゲート酸化膜の役割と課題 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p10 (0016.jp2)
- 1.3 本論文の概要 / p11 (0017.jp2)
- 参考文献 / p16 (0022.jp2)
- 第2章 急速熱酸化(RTO)技術を用いる極薄ゲート酸化膜形成 / p17 (0023.jp2)
- 2.1 極薄ゲート酸化膜形成に関する従来の研究 / p17 (0023.jp2)
- 2.2 本研究における極薄ゲート酸化膜形成技術 / p21 (0027.jp2)
- 2.3 種々のRTO条件による極薄ゲート酸化膜形成 / p27 (0033.jp2)
- 2.4 極薄ゲート酸化膜形成における酸化モデルの検討 / p33 (0039.jp2)
- 2.5 結論 / p42 (0048.jp2)
- 参考文献 / p44 (0050.jp2)
- 第3章 RTO酸化によるゲート酸化膜/単結晶シリコン界面の構造と性質 / p63 (0069.jp2)
- 3.1 酸化膜/単結晶シリコン界面構造に関する従来の研究 / p64 (0070.jp2)
- 3.2 透過電子顕微鏡を用いる酸化膜/単結晶シリコン界面構造の解析 / p66 (0072.jp2)
- 3.3 二次イオン質量分析を用いる酸化膜/単結晶シリコン界面の構造解析 / p78 (0084.jp2)
- 3.4 X線光電子分光および赤外分光を用いる化学結合状態の分析 / p82 (0088.jp2)
- 3.5 電子スピン共鳴を用いる酸化膜/単結晶シリコン界面の化学結合状態の解析 / p92 (0098.jp2)
- 3.6 結論 / p95 (0101.jp2)
- 参考文献 / p102 (0108.jp2)
- 第4章 RTO酸化で形成した極薄ゲート酸化膜の電気的特性 / p145 (0151.jp2)
- 4.1 微細化素子に用いる極薄ゲート酸化膜に関する従来の研究 / p145 (0151.jp2)
- 4.2 電気的評価方法 / p148 (0154.jp2)
- 4.3 RTO酸化で形成した極薄ゲート酸化膜の界面準位特性 / p153 (0159.jp2)
- 4.4 RTO酸化で形成した極薄ゲート酸化膜の絶縁破壊耐性 / p161 (0167.jp2)
- 4.5 RTO酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のキャリア輸送特性 / p168 (0174.jp2)
- 4.6 結論 / p176 (0182.jp2)
- 参考文献 / p181 (0187.jp2)
- 第5章 RTO酸化で形成した極薄ゲート酸化膜の超微細MOSデバイスへの適用 / p224 (0230.jp2)
- 5.1 微細MOSデバイスに関する従来の研究 / p224 (0230.jp2)
- 5.2 RTO酸化膜の超微細MOSトランジスタへの適用 / p226 (0232.jp2)
- 5.3 RTO酸化膜の微細トレンチMOSFETへの適用 / p235 (0241.jp2)
- 5.4 結論 / p238 (0244.jp2)
- 参考文献 / p241 (0247.jp2)
- 第6章 総括 / p265 (0271.jp2)
- 謝辞 / p270 (0276.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p271 (0277.jp2)
