Electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors made in ultrathin-film silicon-on-insulators 絶縁膜上のシリコンに形成したMOSトランジスタの電気特性

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 吉見, 信 ヨシミ, マコト

書誌事項

タイトル

Electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors made in ultrathin-film silicon-on-insulators

タイトル別名

絶縁膜上のシリコンに形成したMOSトランジスタの電気特性

著者名

吉見, 信

著者別名

ヨシミ, マコト

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10226号

学位授与年月日

1991-05-30

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

目次

  1. Table of Contents
  2. Chapter1 Introduction
  3. Chapter2 Simulation and analysis of the fundamental properties of ultrathin-film SOI MOSFETs
  4. 2.1 Simulated device structure
  5. 2.2 Subthreshold characteristic
  6. 2.3 Static current-voltage characteristic
  7. 2.4 Switching characteristic
  8. Chapter3 Preparation of SOI films by electron beam recrystallization and their application to 3D LSIs
  9. 3.1 Amplitude-modulated pseudo-line electron beam recrystallization
  10. 3.2 Heat analysis using the finite element method
  11. 3.3 Fabrication of a stacked CMOS inverter using a tungsten cap
  12. 3.4 Improvement of the seed structure and crystal properties of SOI films
  13. 3.5 Application of electron beam annealed SOI films to the fabrication of a 3D image processor
  14. Chapter4 Fabrication of ultrathin-film SOI MOSFETs and measurements on their fundamental characteristics
  15. 4.1 Device fabrication process
  16. 4.2 Measurements of fundamental electrical characteristics
  17. Chapter5 Study on the lowering of drain breakdown voltage in ultrathin-film SOI MOSFETs
  18. 5.1 Background
  19. 5.2 Drain breakdown voltage in fabricated ultrathin-film SOI MOSFETs
  20. 5.3 Analysis by two-dimensional simulation
  21. 5.4 Measurements of an asymmetric structured device
  22. 5.5 Transient analysis for the drain breakdown process
  23. Chapter6 Perspectives of ultrathin-film SOI MOSFET technology
  24. 6.1 Comparison of scalability between bulk MOSFETs and ultrathin-film SOI MOSFETs
  25. 6.2 Problems to be overcome in ultrathin-film SOI MOSFET technology
  26. Chapter7 Conclusions
  27. Appendix A: Analytical formulation of the threshold voltage and vertical electric field in ultrathin-film SOI MOSFETs
  28. Appendix B: Formulation of the heat conduction equation in the finite element method
  29. Appendix C: Electrical measurement of SOI thickness in ultrathin-film SOI MOSFETs
  30. Appendix D: Generation-recombination model in the 2D device simulator employed
  31. References
  32. List of publications and presentations at international conferences
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002015979
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002579930
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262184
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

ページトップへ