シランを原料とするCVDにおける膜前駆ラジカル挙動のモデル化に関する研究

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著者

    • 結城, 昭正 ユウキ, アキマサ

書誌事項

タイトル

シランを原料とするCVDにおける膜前駆ラジカル挙動のモデル化に関する研究

著者名

結城, 昭正

著者別名

ユウキ, アキマサ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10241号

学位授与年月日

1991-06-13

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0006.jp2)
  3. 1･1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1･2 CVD研究の歴史と現状 / p1 (0006.jp2)
  5. 1･3 目的と意義 / p4 (0008.jp2)
  6. 1･4 論文の構成と展開 / p4 (0008.jp2)
  7. 参考文献 / p6 (0009.jp2)
  8. 第2章 気相ラジカル挙動の定式化 / p8 (0010.jp2)
  9. 2･1 まえがき / p8 (0010.jp2)
  10. 2･2 反応空間モデル / p8 (0010.jp2)
  11. 2･3 気相での停止反応が無視できる場合 / p10 (0011.jp2)
  12. 2･4 停止反応が一次反応の場合のラジカル挙動 / p12 (0012.jp2)
  13. 2･5 停止反応が二次反応の場合のラジカル挙動 / p19 (0015.jp2)
  14. 2･6 連鎖担体が増殖する場合のラジカル挙動 / p22 (0017.jp2)
  15. 2･7 まとめ / p25 (0018.jp2)
  16. 参考文献 / p26 (0019.jp2)
  17. 第3章 気相―表面反応の数値解析手法 / p27 (0019.jp2)
  18. 3･1 まえがき / p27 (0019.jp2)
  19. 3･2 気相におけるモデルと基礎式の導出 / p29 (0020.jp2)
  20. 3･3 座標変換と離散化と計算手順 / p30 (0021.jp2)
  21. 3･4 表面反応のモデルと基礎式の導出 / p34 (0023.jp2)
  22. 3･5 物性値 / p36 (0024.jp2)
  23. 3･6 水の蒸発と凝縮のシミュレーション / p42 (0027.jp2)
  24. 3･7 まとめ / p45 (0028.jp2)
  25. 第4章 シランとジシランの熱分解反応機構 / p47 (0029.jp2)
  26. 4･1 まえがき / p47 (0029.jp2)
  27. 4･2 SiH₄Si₂H₆の熱分解 / p48 (0030.jp2)
  28. 4･3 反応モデル / p50 (0031.jp2)
  29. 4･4 計算結果と考察 / p55 (0033.jp2)
  30. 4･5 シラン熱CVDへの適用 / p60 (0036.jp2)
  31. 4･6 まとめ / p64 (0038.jp2)
  32. Appendix A / p67 (0039.jp2)
  33. 第5章 水銀増感法光CVDの気相反応 / p70 (0041.jp2)
  34. 5･1 まえがき / p70 (0041.jp2)
  35. 5･2 実験装置と方法 / p70 (0041.jp2)
  36. 5･3 シランの分解反応機構 / p73 (0042.jp2)
  37. 5･4 シラン分解のシミュレーション / p81 (0046.jp2)
  38. 5･5 まとめ / p88 (0050.jp2)
  39. Appendix B / p90 (0051.jp2)
  40. 第6章 シラン･プラズマCVDにおける気相反応 / p91 (0051.jp2)
  41. 6･1 まえがき / p91 (0051.jp2)
  42. 6･2 実験装置と方法 / p92 (0052.jp2)
  43. 6･3 実験結果と考察 / p93 (0052.jp2)
  44. 6･4 反応のシミュレーション / p103 (0057.jp2)
  45. 6･5 まとめ / p115 (0063.jp2)
  46. Appendix C / p118 (0065.jp2)
  47. Appendix D / p119 (0065.jp2)
  48. 第7章 トレンチカバレッジ特性に影響を及ぼす要因の解析 / p120 (0066.jp2)
  49. 7･1 まえがき / p120 (0066.jp2)
  50. 7･2 トレンチ内の堆積モデルと計算手法 / p122 (0067.jp2)
  51. 7･3 計算結果と考察 / p129 (0070.jp2)
  52. 7･4 まとめ / p136 (0074.jp2)
  53. Appendix E / p138 (0075.jp2)
  54. 第8章 付着確率の測定によるSiH4プラズマCVDの堆積機構の検討 / p141 (0076.jp2)
  55. 8･1 まえがき / p141 (0076.jp2)
  56. 8･2 計算モデルと手法 / p143 (0077.jp2)
  57. 8･3 計算結果と考察 / p147 (0079.jp2)
  58. 8･4 ラジカル挙動のシミュレーション / p154 (0083.jp2)
  59. 8･5 まとめ / p157 (0084.jp2)
  60. 第9章 SiH4熱CVDにおける膜前駆物質の解析 / p159 (0085.jp2)
  61. 9･1 まえがき / p159 (0085.jp2)
  62. 9･2 計算モデルと手法 / p160 (0086.jp2)
  63. 9･3 計算結果と考察 / p161 (0086.jp2)
  64. 9･4 SiH₄減圧CVDの気相ラジカルの挙動のシミュレーション / p164 (0088.jp2)
  65. 9･5 PH₃による堆積速度の変化についての考察 / p171 (0091.jp2)
  66. 9･6 まとめ / p175 (0093.jp2)
  67. 第10章 SiH₄プラズマCVDにおける膜前駆ラジカルの組成変化 / p177 (0094.jp2)
  68. 10･1 まえがき / p177 (0094.jp2)
  69. 10･2 実験装置と方法 / p177 (0094.jp2)
  70. 10･3 実験結果と考察 / p179 (0095.jp2)
  71. 10･4 膜堆積のシミュレーション / p185 (0098.jp2)
  72. 10･5 まとめ / p191 (0101.jp2)
  73. 第11章 結言 / p194 (0103.jp2)
  74. 11･1 各章のまとめ / p194 (0103.jp2)
  75. 11･2 応用と展開 / p197 (0104.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097885
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098114
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262199
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

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